日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

IRFR420TR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR420TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR420TR-VB 產品簡介

IRFR420TR-VB 是一款設計用于高電壓應用的單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO252。這款 MOSFET 采用 Plannar 技術,能夠承受高達 650V 的漏源極電壓(VDS),同時支持最大 ±30V 的柵源極電壓(VGS)。其漏極電流(ID)為 4A,適用于需要高電壓耐受能力的應用場景。盡管導通電阻相對較高,但它在特定高電壓應用中仍能提供可靠的性能。

### 二、IRFR420TR-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2750mΩ @ VGS=4.5V  
 - 2200mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 4A  
- **技術類型**: Plannar  
- **功率耗散**: 設計用于高電壓應用,具備相應的功率處理能力。

### 三、IRFR420TR-VB 應用領域和模塊示例

1. **高電壓電源開關**
  IRFR420TR-VB 的高漏源極電壓(650V)使其非常適合用于高電壓電源開關應用。它可以用于 AC-DC 電源轉換器中的高電壓開關,提供穩(wěn)定的電流控制和保護。

2. **電力管理系統(tǒng)**
  在電力管理系統(tǒng)中,例如電力逆變器或高壓電源管理模塊,IRFR420TR-VB 能夠處理高電壓負載,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。雖然其導通電阻較高,但在高電壓環(huán)境下表現(xiàn)良好。

3. **高壓電動機驅動**
  該 MOSFET 可用于高壓電動機驅動應用中,特別是在需要控制和調節(jié)高電壓電動機的場景。它能提供可靠的開關性能,盡管其導通電阻相對較高,但對于高電壓應用仍然有效。

4. **高壓開關電源**
  在高壓開關電源中,IRFR420TR-VB 可用于電源開關和調節(jié)。它能夠承受高達 650V 的電壓,適合用于要求高電壓耐受能力的電源設計中。

5. **電動工具和設備**
  在高電壓電動工具和設備中,該 MOSFET 可以用于高壓控制開關和保護電路。盡管導通電阻較高,但它能有效處理高電壓,適用于需要高電壓耐受的電動工具和設備。

IRFR420TR-VB 由于其高電壓耐受能力,使其在高電壓電源開關、電力管理系統(tǒng)、高壓電動機驅動、高壓開關電源以及電動工具和設備中表現(xiàn)出色。盡管導通電阻較高,但它在這些高電壓應用中的穩(wěn)定性和可靠性仍然使其成為優(yōu)選組件。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    729瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    607瀏覽量
石棉县| 兴仁县| 池州市| 兴宁市| 广河县| 莫力| 建水县| 兴山县| 南宫市| 湘潭市| 明溪县| 中阳县| 顺平县| 肇州县| 孝义市| 和静县| 宣化县| 小金县| 凌源市| 平陆县| 汾西县| 漠河县| 梧州市| 永寿县| 广饶县| 兴安县| 宝应县| 宜都市| 胶南市| 合作市| 黔西| 满洲里市| 景德镇市| 临夏市| 宁安市| 宜丰县| 辽宁省| 鄢陵县| 顺昌县| 麻阳| 鹤庆县|