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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR430BTF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR430BTF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRFR430BTF-VB** 是一款高耐壓N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極源極電壓(VDS)為650V,漏極電流(ID)達(dá)到5A。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術(shù),具有相對(duì)較高的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能,適用于需要高電壓耐受能力的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRFR430BTF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **高電壓電源開(kāi)關(guān)**:
  - IRFR430BTF-VB 適用于高電壓電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其650V的漏極源極電壓和5A的漏極電流能力使其適合于高電壓電源的開(kāi)關(guān)控制,能夠在高電壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。例如,它可以用于高壓電源供應(yīng)系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)模塊,確保電源開(kāi)關(guān)的可靠性和安全性。

2. **工業(yè)電力轉(zhuǎn)換器**:
  - 在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET可以有效地處理高電壓環(huán)境下的電力轉(zhuǎn)換。它的高耐壓特性使其適合用于工業(yè)級(jí)電源模塊中,如變頻器和逆變器,提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換和控制。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:
  - 盡管IRFR430BTF-VB的漏極電流相對(duì)較低,但它仍可用于需要高電壓耐受的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。在高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,它能夠有效控制電機(jī)的運(yùn)行,提供穩(wěn)定的電流控制,適合用于高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。

4. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET適用于需要高電壓保護(hù)的應(yīng)用。它能夠處理高電壓下的電池保護(hù)和充放電管理,確保電池系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性,特別適合用于電動(dòng)汽車和大型儲(chǔ)能系統(tǒng)中的電池保護(hù)模塊。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR430BTF-VB 在高電壓應(yīng)用中的性能優(yōu)勢(shì),特別適合用于電源開(kāi)關(guān)、電力轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理等領(lǐng)域,提供高電壓耐受和穩(wěn)定可靠的解決方案。

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