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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR6215TRLPBF-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR6215TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID -15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR6215TRLPBF-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR6215TRLPBF-VB 是一種P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。它的最大漏源電壓(VDS)為-150V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,具有-15A的最大漏極電流(ID)和160mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V。這款MOSFET封裝在TO252(DPAK)中,適用于高效電源管理和切換應(yīng)用。

### 二、IRFR6215TRLPBF-VB詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252(DPAK)
- **極性**:?jiǎn)蜳溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-150V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:-15A
- **功耗 (Pd)**:65W
- **最大結(jié)溫 (Tj)**:+175°C
- **工作模式**:增強(qiáng)模式
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電機(jī)控制**:該P(yáng)溝道MOSFET可用于反向電流保護(hù)電路,尤其適用于電機(jī)控制和方向轉(zhuǎn)換模塊中。這種應(yīng)用需要高電壓、高電流承受能力的器件,IRFR6215TRLPBF-VB的150V耐壓特性非常適合這一領(lǐng)域。
  
2. **電源管理**:在直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC)和降壓穩(wěn)壓器中,該MOSFET可以作為負(fù)載開關(guān),負(fù)責(zé)調(diào)節(jié)電壓輸出和系統(tǒng)保護(hù)。它能夠在較高電壓條件下實(shí)現(xiàn)有效的電源控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電動(dòng)汽車充電模塊**:IRFR6215TRLPBF-VB適合電動(dòng)汽車充電站中的電流控制模塊,提供反向電流保護(hù)和高效電源轉(zhuǎn)換,以確保電池安全和充電效率。

4. **光伏系統(tǒng)**:在光伏系統(tǒng)中,該MOSFET能夠在太陽(yáng)能電池板和逆變器之間提供高效的能量轉(zhuǎn)換和反向保護(hù),確保系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。

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