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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR7446PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR7446PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRFR7446PBF-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類型為TO252,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)。這款MOSFET具備高電流處理能力和超低導(dǎo)通電阻,非常適合要求高效率和高功率密度的應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)為40V,能夠支持高達(dá)85A的漏極電流。MOSFET的柵源電壓(VGS)額定值為±20V,門極閾值電壓為2.5V。在VGS為4.5V時(shí),其導(dǎo)通電阻為6mΩ,而在VGS為10V時(shí),導(dǎo)通電阻進(jìn)一步降低至5mΩ。該器件的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在功率開關(guān)和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS=4.5V,5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
- **電源轉(zhuǎn)換器**:IRFR7446PBF-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源模塊中表現(xiàn)出色。其超低的導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用作高效開關(guān),能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)的能效和可靠性。

- **汽車電氣系統(tǒng)**:在汽車電子系統(tǒng)中,如車載電源、智能充電器以及電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)中,這款MOSFET可以提供穩(wěn)定的電流控制和高效的開關(guān)能力。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在汽車環(huán)境下長時(shí)間穩(wěn)定工作。

- **電機(jī)控制**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊中,如工業(yè)電機(jī)和無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)器中,IRFR7446PBF-VB能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)和高效的功率管理。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能和可靠性。

- **功率放大器**:該MOSFET適用于功率放大器模塊中,特別是在高功率RF放大器和音頻功率放大器中。其超低的導(dǎo)通電阻有助于降低功率損失,提升放大器的總體效率和性能。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR7446PBF-VB在多個(gè)高功率和高效率的應(yīng)用領(lǐng)域中的廣泛適用性,能夠滿足對高電流和低導(dǎo)通電阻的嚴(yán)格要求。

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