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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR8203TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR8203TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介
IRFR8203TRPBF-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,封裝形式為TO-252。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,特別適合高功率和高效率的應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)為30V,能夠在較高的電壓下穩(wěn)定工作。IRFR8203TRPBF-VB采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),提供了極低的RDS(ON),在VGS為10V時為2mΩ,能夠顯著降低功耗并提升整體系統(tǒng)的效率。其最大漏極電流達(dá)到100A,使其能夠滿足大電流應(yīng)用的需求。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO-252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 2mΩ @ VGS=10V
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C至+175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
IRFR8203TRPBF-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **高功率電源轉(zhuǎn)換**:在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)中,IRFR8203TRPBF-VB憑借其低RDS(ON)和高電流能力,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和減少能量損失,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動和控制**:該MOSFET適用于電機(jī)驅(qū)動模塊,特別是在需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景中,如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動控制。

3. **電動汽車和新能源車**:在電動汽車和新能源車的電池管理系統(tǒng)及功率控制模塊中,IRFR8203TRPBF-VB能夠提供穩(wěn)定的電流控制,優(yōu)化能量管理,確保電動汽車系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)自動化和控制**:在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于電源開關(guān)和負(fù)載控制,適合用于大功率電源和高電流應(yīng)用中,提升系統(tǒng)的可靠性和效率。

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