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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR8715CTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR8715CTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR8715CTRPBF-VB 產(chǎn)品簡介  
IRFR8715CTRPBF-VB 是一款高性能的單N-溝道MOSFET,封裝為TO252。它采用了Trench技術(shù),能夠提供極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和高電流處理能力,使其在高效能電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。具有最大漏源電壓 (VDS) 為30V,最大漏極電流 (ID) 為80A,適用于需要高電流和低功耗的開關(guān)和放大應(yīng)用。

### 二、IRFR8715CTRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:30V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 5mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:80A  
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)  
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值為120nC  
- **開關(guān)速度**:快,適用于高速開關(guān)應(yīng)用  
- **熱阻 (RθJC)**:最大值為1.6°C/W  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例  
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  IRFR8715CTRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高效開關(guān)應(yīng)用。在高效率電源設(shè)計中,減少功耗和提高轉(zhuǎn)換效率是關(guān)鍵,該MOSFET能夠有效減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)性能。

2. **電機驅(qū)動**  
  在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET可以作為電機控制電路中的開關(guān)器件。其高電流承載能力和低RDS(ON) 能夠幫助優(yōu)化電機的啟動、運行和調(diào)速過程,減少熱量產(chǎn)生,提升系統(tǒng)可靠性。

3. **開關(guān)電源**  
  在開關(guān)電源中,IRFR8715CTRPBF-VB 能夠作為主要的開關(guān)元件,幫助實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。其快速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為高性能開關(guān)電源設(shè)計的理想選擇。

4. **負(fù)載開關(guān)和保護電路**  
  由于其高電流能力和低功耗特性,該MOSFET 也適用于負(fù)載開關(guān)和電源保護電路??梢杂糜诟唠娏髫?fù)載的開關(guān)控制,或在電源模塊中提供過流保護,確保系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定運行。

IRFR8715CTRPBF-VB 的設(shè)計適合廣泛的應(yīng)用場合,特別是在高電流、高效率和高性能的電源管理模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。

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