日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

IRFR9014TRR-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: IRFR9014TRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR9014TRR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR9014TRR-VB 是一款**P-Channel MOSFET**,設計用于高功率開關應用。它采用了**Trench 技術**,旨在提供低導通電阻和高效能。該器件采用**TO252**封裝,支持**-60V**的**VDS(漏極-源極電壓)**和**±20V**的**VGS(柵極-源極電壓)**。其**Vth(閾值電壓)**為**-1.7V**,在VGS=4.5V時**RDS(ON)**為**72mΩ**,在VGS=10V時為**61mΩ**,漏極電流**ID**高達**-30A**。這些特性使得 IRFR9014TRR-VB 在需要高電流和低電阻的開關應用中表現(xiàn)出色。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單個 P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 72mΩ @ VGS=4.5V
 - 61mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -30A
- **技術**: Trench
- **功耗**: 由于低 RDS(ON),能夠有效地處理功率
- **工作溫度**: 通常范圍為 -55°C 到 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 較低,確??焖匍_關能力

### IRFR9014TRR-VB 的應用領域和模塊

IRFR9014TRR-VB MOSFET 適用于多種高功率和低阻抗的應用領域:

1. **電源開關**: 在 DC-DC 轉換器或開關電源(SMPS)中,這款 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其能夠高效地進行開關操作,提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

2. **電池保護電路**: 由于其高漏極電流能力和低 RDS(ON),該 MOSFET 非常適合用于電池保護系統(tǒng),特別是在電動車輛或大型能源存儲系統(tǒng)中,保障電池組的安全和性能。

3. **電機驅(qū)動**: 其優(yōu)秀的開關性能和高電流處理能力使其適合用于電機驅(qū)動模塊,如工業(yè)電機控制、家用電器等,提供可靠的電機控制和高效能量利用。

4. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于高功率開關,如電動窗、電動座椅或其他電動負載,提供穩(wěn)定的性能和保護。

5. **通信設備**: 由于其低導通電阻和高效的開關特性,適合用于通信設備中的電源管理和保護電路,確保設備在高負載情況下的穩(wěn)定性和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    731瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    610瀏覽量
曲靖市| 凤阳县| 阳泉市| 买车| 钟山县| 顺义区| 福安市| 安塞县| 宜兰县| 礼泉县| 开封县| 星子县| 广西| 五台县| 缙云县| 郸城县| 乌拉特中旗| 临城县| 龙陵县| 二手房| 鱼台县| 平度市| 关岭| 临澧县| 开鲁县| 化德县| 宜兰县| 汉寿县| 樟树市| 贵州省| 贵定县| 克什克腾旗| 巩留县| 拉萨市| 唐海县| 文安县| 湟中县| 越西县| 原平市| 金塔县| 德格县|