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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR9214TRPBF-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR9214TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID -6A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRFR9214TRPBF-VB是一款單P溝道MOSFET,封裝類型為TO252,采用Trench技術(shù)。這款MOSFET具有高達(dá)-250V的漏源電壓(VDS),適用于高電壓應(yīng)用。最大漏極電流為-6A,門極閾值電壓(Vth)為-2V,使其在較低的柵極驅(qū)動電壓下也能有效開關(guān)。其導(dǎo)通電阻在VGS為4.5V時為1200mΩ,在VGS為10V時為1000mΩ。這些特性使得IRFR9214TRPBF-VB在需要高電壓承受能力和較大負(fù)電流的場合表現(xiàn)出色,適用于各種功率開關(guān)和保護應(yīng)用。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -250V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS=4.5V,1000mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -6A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
- **高電壓開關(guān)應(yīng)用**:IRFR9214TRPBF-VB因其高達(dá)-250V的漏源電壓,適用于高電壓開關(guān)和保護電路。在高壓直流電源系統(tǒng)中,可以作為高壓負(fù)載的開關(guān),確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

- **電源保護**:在電源保護模塊中,如過電壓保護或短路保護電路,該MOSFET的高電壓承受能力使其適合用作保護開關(guān),以防止電路中的電流過載對其他組件造成損害。

- **工業(yè)電力系統(tǒng)**:在工業(yè)電力系統(tǒng)中,該MOSFET可以用作高電壓設(shè)備的開關(guān)元件,例如在高壓電機控制系統(tǒng)和電力變換器中。其高電壓和電流處理能力使其能夠有效管理和控制大功率負(fù)載。

- **逆變器和功率轉(zhuǎn)換器**:在高壓逆變器和功率轉(zhuǎn)換器中,IRFR9214TRPBF-VB能夠提供可靠的開關(guān)功能,以處理高電壓和高功率需求。這對于需要高電壓耐受能力的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用尤為重要。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR9214TRPBF-VB在需要高電壓和大負(fù)載電流的應(yīng)用領(lǐng)域中的廣泛適用性,尤其是在高電壓開關(guān)、保護和電力管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。

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