--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRFRC20-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有650V的漏源電壓(VDS),適用于高電壓應(yīng)用。此器件配置為N溝道,具備較高的柵源電壓承受能力(VGS為±30V),適合在要求較高的電壓環(huán)境下工作。門極閾值電壓(Vth)為3.5V,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻在VGS為4.5V時(shí)為3440mΩ,在VGS為10V時(shí)為4300mΩ。IRFRC20-VB利用Planar技術(shù),雖然其導(dǎo)通電阻相對較高,但在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)良好,適用于低電流和高電壓的功率開關(guān)和控制場合。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 3440mΩ @ VGS=4.5V,4300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)類型**: Planar
### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
- **高電壓開關(guān)**:IRFRC20-VB特別適用于需要高電壓開關(guān)的應(yīng)用,如高壓直流電源的開關(guān)和控制。在這些應(yīng)用中,MOSFET的高VDS可以有效處理高電壓環(huán)境下的開關(guān)需求。
- **功率轉(zhuǎn)換器**:在高電壓功率轉(zhuǎn)換器中,如AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,IRFRC20-VB能夠處理高電壓輸入,并有效地控制功率轉(zhuǎn)換過程,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高VDS特性能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
- **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,特別是在需要高電壓支持的場合,如電機(jī)驅(qū)動和電力供應(yīng)系統(tǒng),該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)功能,適用于高電壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。
- **電子電力開關(guān)**:IRFRC20-VB可用于高電壓環(huán)境下的電子電力開關(guān)系統(tǒng),例如電力保護(hù)電路或電源分配系統(tǒng)。盡管導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓承受能力使其在這些高電壓場合下仍能提供有效的開關(guān)控制。
這些應(yīng)用示例表明,IRFRC20-VB在高電壓開關(guān)和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適用于需要高電壓和低電流的應(yīng)用場景。
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