日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

IRLR014TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR014TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**IRLR014TRPBF-VB MOSFET 產品簡介:**

IRLR014TRPBF-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,利用先進的 Trench 技術設計。這款 MOSFET 具備 60V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。其導通電阻分別為 85mΩ(在 VGS = 4.5V)和 73mΩ(在 VGS = 10V),支持最大連續(xù)漏極電流 (ID) 為 18A。這使得 IRLR014TRPBF-VB 特別適合用于中等電壓和電流要求的應用。

**詳細參數說明:**
- **型號:** IRLR014TRPBF-VB
- **封裝類型:** TO252
- **通道配置:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 18A
- **技術:** Trench

**應用領域及實例:**

1. **電源管理:**
  IRLR014TRPBF-VB 在電源管理模塊中表現出色,尤其是在 DC-DC 轉換器和電源開關中。其較低的導通電阻和高電流承載能力能夠有效提高電源轉換效率和穩(wěn)定性,適用于各種電子設備中的電源轉換和調節(jié)。

2. **負載開關:**
  這款 MOSFET 可以用作負載開關,例如在家電、工業(yè)設備或汽車電子系統(tǒng)中控制負載開關。其較高的電流承載能力和適中的導通電阻使其能夠穩(wěn)定地開關負載,適合用于需要可靠負載開關的場景。

3. **汽車電子:**
  在汽車電子系統(tǒng)中,IRLR014TRPBF-VB 可用于中等功率的開關應用,如電動窗、中央鎖和照明系統(tǒng)。它能夠在汽車環(huán)境中提供可靠的電流控制,確保系統(tǒng)的正常運行和較長的使用壽命。

4. **工業(yè)控制:**
  在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 適用于驅動電動機、繼電器和其他負載。其高電流承載能力和適中的導通電阻使其能夠滿足工業(yè)控制系統(tǒng)中對開關性能的要求,提高系統(tǒng)的整體效率。

IRLR014TRPBF-VB MOSFET 憑借其優(yōu)越的電氣性能和 TO252 封裝,成為電源管理、負載開關、汽車電子和工業(yè)控制領域的理想選擇,為這些應用提供了穩(wěn)定、高效的開關解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    730瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    609瀏覽量
汉源县| 金湖县| 翁牛特旗| 沾化县| 阜康市| 贵港市| 平凉市| 兴隆县| 武邑县| 石门县| 道孚县| 罗田县| 正蓝旗| 饶河县| 德兴市| 北碚区| 吴川市| 塘沽区| 陆河县| 长沙县| 沈阳市| 皮山县| 赤城县| 哈密市| 平定县| 申扎县| 诸城市| 南陵县| 井研县| 淮南市| 湖北省| 确山县| 西乡县| 长垣县| 通许县| 云和县| 轮台县| 潜江市| 汉源县| 红安县| 同心县|