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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR130A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR130A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR130A-VB 產(chǎn)品簡介

IRLR130A-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計(jì)用于中高壓應(yīng)用和功率開關(guān)電路。該 MOSFET 使用 Trench 技術(shù)制造,具有良好的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電阻,適合在需要高效率和高電流處理能力的電路中使用。這使其成為電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他功率控制應(yīng)用的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理和開關(guān)電路**:
  IRLR130A-VB 非常適合用于電源管理系統(tǒng)和開關(guān)電路,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電源調(diào)節(jié)模塊。其高漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻確保了在高電壓條件下的高效開關(guān)操作,同時(shí)減少了功率損耗,提高了電源轉(zhuǎn)換的效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IRLR130A-VB 可作為電機(jī)控制電路中的開關(guān)元件。其高電流處理能力和穩(wěn)定的開關(guān)特性使其能夠有效控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)整。該 MOSFET 能夠處理較大的電流負(fù)荷,并保持良好的導(dǎo)電性能,確保電機(jī)運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **負(fù)載開關(guān)**:
  IRLR130A-VB 也適用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如在照明系統(tǒng)和加熱元件控制中。由于其較低的 RDS(ON) 和高 VDS 額定值,該 MOSFET 能夠高效地開關(guān)負(fù)載,減少了系統(tǒng)的能量損耗,并提供了可靠的開關(guān)控制。

4. **功率調(diào)節(jié)和保護(hù)**:
  在功率調(diào)節(jié)和保護(hù)電路中,IRLR130A-VB 可用作過流保護(hù)和電壓調(diào)節(jié)模塊的開關(guān)元件。其良好的開關(guān)特性和高電流處理能力確保了電路的安全性和穩(wěn)定性,能夠有效地保護(hù)電路免受過流或過電壓的損害。

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