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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRLR210ATF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR210ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRLR210ATF-VB是一款單N溝道(Single-N-Channel)MOSFET,封裝為T(mén)O252。它具有200V的漏源電壓(VDS)和5A的漏極電流(ID),適合用于高電壓和中等電流的應(yīng)用。該MOSFET的柵極閾值電壓(Vth)為3V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為850mΩ(@VGS=10V),采用Trench技術(shù)。IRLR210ATF-VB設(shè)計(jì)用于需要高電壓和中等電流處理的場(chǎng)景,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和可靠的功率管理。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:200V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 850mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:5A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **功耗**:適合中等功率應(yīng)用
- **開(kāi)關(guān)速度**:適合中頻到低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
- **熱管理**:TO252封裝提供了良好的散熱性能,適用于較高功率應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高電壓電源管理**:IRLR210ATF-VB非常適用于高電壓電源管理系統(tǒng),例如高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源保護(hù)電路。其200V的漏源電壓能力使其能夠有效處理高電壓環(huán)境中的電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可以用作電池保護(hù)開(kāi)關(guān)或電池平衡電路的控制元件。由于其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻,能夠在高電壓環(huán)境下有效地保護(hù)電池和管理電能。

3. **工業(yè)設(shè)備控制**:IRLR210ATF-VB也適用于各種工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)控制,例如高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源開(kāi)關(guān)。其高電壓特性和中等電流能力使其能夠穩(wěn)定控制大功率電機(jī)或其他工業(yè)負(fù)載。

4. **汽車(chē)電子系統(tǒng)**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,這款MOSFET適合用于高電壓應(yīng)用,如汽車(chē)充電系統(tǒng)和電機(jī)控制模塊。它的高電壓和高可靠性特點(diǎn),能夠滿足汽車(chē)電子系統(tǒng)中對(duì)耐壓和耐久性的嚴(yán)格要求。

總結(jié)來(lái)說(shuō),IRLR210ATF-VB以其高電壓耐受能力和中等電流處理能力,廣泛應(yīng)用于高電壓電源管理、電池管理系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備控制和汽車(chē)電子系統(tǒng)中,提供了可靠的開(kāi)關(guān)控制和功率管理解決方案。

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