日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

IRLR230ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR230ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR230ATM-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR230ATM-VB 是一款高耐壓N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。它設計用于需要高電壓耐受能力的應用場景,具備200V的最大漏源電壓(VDS)。該MOSFET 具有最大漏極電流10A,并支持柵源電壓(VGS)為±20V。IRLR230ATM-VB 的導通電阻在VGS=10V時為245mΩ,這使其在高電壓應用中保持良好的開關性能和可靠的功率管理。采用Trench技術,該MOSFET 提供了優(yōu)異的電流承載能力和熱管理特性,適合各種需要高耐壓和中等電流的應用場合。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術類型**: Trench技術
- **最大功耗**: 依據(jù)具體散熱設計,功耗應根據(jù)實際應用場景進行管理。
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C

### 應用領域及模塊

1. **高壓電源管理**: IRLR230ATM-VB 在高壓電源管理系統(tǒng)中非常適用。由于其200V的高耐壓能力,該MOSFET 可用于高壓DC-DC轉換器、逆變器和電源開關等應用,以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

2. **電流控制**: 在需要控制高電流負載的應用中,IRLR230ATM-VB 的10A最大漏極電流能力使其適合用于電機驅動、電流開關和繼電器驅動等電流控制模塊。

3. **高電壓負載開關**: 該MOSFET 適用于高電壓負載開關應用,包括開關電源、工業(yè)設備中的負載開關等。其高電壓耐受能力和中等電流處理能力使其能夠有效地管理和開關高電壓負載。

4. **汽車電子系統(tǒng)**: 在汽車電子系統(tǒng)中,如電池管理和電力分配系統(tǒng),IRLR230ATM-VB 提供了高耐壓的開關解決方案,適用于需要高電壓保護的汽車電子應用。

5. **工業(yè)控制和自動化**: 在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,IRLR230ATM-VB 可以用來驅動高電壓設備和控制電機。其高電壓和電流處理能力確保了工業(yè)設備的穩(wěn)定和可靠運行。

總之,IRLR230ATM-VB 是一款適用于高電壓和中等電流應用的N溝道MOSFET,其高耐壓能力、合理的導通電阻和優(yōu)秀的開關性能使其在高壓電源管理、電流控制、高電壓負載開關、汽車電子系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域中表現(xiàn)出色。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    727瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    604瀏覽量
台北市| 突泉县| 武邑县| 筠连县| 衡山县| 获嘉县| 全南县| 辽阳市| 澄迈县| 雅安市| 甘南县| 肇东市| 霍林郭勒市| 苏尼特左旗| 余干县| 伊宁县| 九江市| 八宿县| 武胜县| 五原县| 武邑县| 睢宁县| 安新县| 嘉义县| 类乌齐县| 泸州市| 普格县| 珲春市| 湖南省| 友谊县| 阿拉善盟| 绥化市| 武安市| 循化| 聂荣县| 万州区| 嘉兴市| 扶风县| 无锡市| 舟山市| 渝中区|