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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR3103TR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR3103TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**IRLR3103TR-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵極驅(qū)動電壓范圍為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。在10V的柵極驅(qū)動電壓下,其導(dǎo)通電阻為5mΩ,支持最大80A的漏極電流。IRLR3103TR-VB 采用Trench技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,適用于高電流、低電壓的應(yīng)用場合。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **器件型號**: IRLR3103TR-VB
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench
- **最大功耗**: 2.5W(取決于散熱條件)
- **最大結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 80nC
- **開關(guān)延遲時間**:
 - 上升時間 (tr): 50ns
 - 下降時間 (tf): 40ns

### 三、適用領(lǐng)域和模塊

**IRLR3103TR-VB** 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在多種需要高電流、低電壓的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越:

1. **電源管理系統(tǒng)**:在電源管理系統(tǒng)中,IRLR3103TR-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和負載開關(guān)。其優(yōu)異的開關(guān)性能可以提高電源效率,減少功耗,并改善系統(tǒng)穩(wěn)定性,適用于計算機電源、服務(wù)器電源以及其他高效能電源系統(tǒng)。

2. **電機驅(qū)動**:在電機驅(qū)動應(yīng)用中,如步進電機和無刷直流電機驅(qū)動,IRLR3103TR-VB 可以處理高電流并穩(wěn)定控制電機的開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻幫助減少功耗和發(fā)熱,適用于工業(yè)機器人、電動車輛和其他高功率電機應(yīng)用。

3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,IRLR3103TR-VB 能夠高效地進行負載開關(guān)控制,適用于電動窗、座椅調(diào)節(jié)器和照明系統(tǒng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了汽車電氣系統(tǒng)的可靠性和效率。

4. **功率放大器**:在功率放大器電路中,該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其適合用于高功率應(yīng)用。它可以作為高效的開關(guān)元件,在功率放大器中提高性能,減少功耗,適用于射頻放大器和高功率音頻放大器。

5. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,IRLR3103TR-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻適用于電池保護和均衡。它可以有效管理電池的充放電過程,確保電池的安全性和性能,適用于電動汽車、儲能系統(tǒng)和其他需要高電流的電池應(yīng)用。

總之,IRLR3103TR-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在電源管理、電機驅(qū)動、汽車電子、功率放大器和電池管理等領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用。它能夠滿足高電流、低電壓的應(yīng)用需求,為這些領(lǐng)域的電子設(shè)計提供高效可靠的解決方案。

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