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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR3714ZPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR3714ZPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRLR3714ZPBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。這款 MOSFET 利用先進的 Trench 技術(shù),設(shè)計用于中低電壓應(yīng)用。它的漏極-源極耐壓(VDS)為 30V,適用于需要高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的場景。柵極-源極耐壓(VGS)為 ±20V,提供了良好的柵極驅(qū)動靈活性。IRLR3714ZPBF-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻在 4.5V 柵極電壓下為 9mΩ,在 10V 柵極電壓下為 7mΩ,支持最大 70A 的漏極電流。這些特性使得該 MOSFET 在需要高電流和高開關(guān)效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 2. 詳細參數(shù)說明:
- **型號**: IRLR3714ZPBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**:IRLR3714ZPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于電源管理系統(tǒng),如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。它能有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率,并在電源轉(zhuǎn)換過程中提供穩(wěn)定的性能。

- **電動控制系統(tǒng)**:在電動控制系統(tǒng)中,例如電動窗戶、電動座椅調(diào)節(jié)器和電動工具,IRLR3714ZPBF-VB 可作為功率開關(guān)或驅(qū)動 MOSFET。它的高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻能夠滿足對響應(yīng)速度和電流處理能力的要求。

- **汽車電子**:IRLR3714ZPBF-VB 適用于汽車電子系統(tǒng)中的高電流應(yīng)用,如電動窗戶、電動座椅和燈光控制。它的低導(dǎo)通電阻能夠提高電池使用效率,減少功耗,并提升系統(tǒng)的整體性能。

- **工業(yè)自動化**:在工業(yè)自動化應(yīng)用中,IRLR3714ZPBF-VB 可用于驅(qū)動電機和控制高功率負載。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理高功率要求,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

- **充電系統(tǒng)**:在電池充電器和其他充電系統(tǒng)中,IRLR3714ZPBF-VB 作為開關(guān)元件可以幫助實現(xiàn)高效充電,提供穩(wěn)健的電流控制和保護功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能有效提高充電效率并保護電池免受過流影響。

IRLR3714ZPBF-VB 的高電流能力、低導(dǎo)通電阻和中等漏極-源極耐壓使其在電源管理、電動控制系統(tǒng)、汽車電子、工業(yè)自動化以及充電系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用場景,確保系統(tǒng)在高效能和可靠性方面的表現(xiàn)。

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