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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR3715ZCTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR3715ZCTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR3715ZCTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR3715ZCTRPBF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝類型為TO252。它專為高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計,具有優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。該MOSFET 支持最高20V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),并具有寬范圍的柵閾值電壓(Vth),從0.5V到1.5V不等。IRLR3715ZCTRPBF-VB 的導(dǎo)通電阻為6mΩ(在VGS=2.5V時)和4.5mΩ(在VGS=4.5V時),能夠處理高達100A的漏極電流。采用Trench(溝槽)技術(shù),這款MOSFET 能夠在低電壓應(yīng)用中提供極低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的開關(guān)性能,非常適合需要高電流和高效率的場景。

### IRLR3715ZCTRPBF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V  
- **漏極電流 (ID)**: 100A  
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)技術(shù)  
- **最大功率耗散 (PD)**: 3.3W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
- **封裝引腳**: 三引腳(Drain, Gate, Source)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高電流開關(guān)**
  - IRLR3715ZCTRPBF-VB 適用于需要高電流開關(guān)的應(yīng)用,如高功率LED驅(qū)動電路和電機控制系統(tǒng)。它的高漏極電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為這些應(yīng)用中的理想選擇,能夠高效地控制電流并減少功率損耗。

2. **電源管理**
  - 在電源管理系統(tǒng)中,IRLR3715ZCTRPBF-VB 可用于高電流的開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠有效提高電源的效率,降低能量損耗,提升整體系統(tǒng)的性能。

3. **負載開關(guān)**
  - 該MOSFET 還適用于各種負載開關(guān)應(yīng)用,比如在家電和工業(yè)設(shè)備中的開關(guān)控制。其寬柵閾值電壓范圍和低導(dǎo)通電阻使其能夠在低電壓環(huán)境中提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,控制高電流負載時也能保持低功耗。

4. **電機驅(qū)動**
  - IRLR3715ZCTRPBF-VB 也非常適合用于電機驅(qū)動系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地驅(qū)動電動機,適用于電動工具、電動汽車和其他電機控制應(yīng)用,提供高效的電機控制和調(diào)速功能。

IRLR3715ZCTRPBF-VB 是一款具備高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻的N溝道MOSFET,適用于高電流開關(guān)、電源管理、負載開關(guān)和電機驅(qū)動等多種應(yīng)用領(lǐng)域,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供高效、可靠的開關(guān)解決方案。

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