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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3717TRLPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3717TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR3717TRLPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IRLR3717TRLPBF-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。該MOSFET 設計用于高電流和低電壓應用,其漏源極電壓(VDS)為20V,最大漏極電流(ID)為120A。其柵源極電壓(VGS)額定為±20V,適應廣泛的驅動電壓。IRLR3717TRLPBF-VB 使用Trench(溝槽)技術,具有超低導通電阻,在VGS為2.5V時為3.5mΩ,在VGS為4.5V時為2.5mΩ。這使其在高電流負載下具有極低的功耗和高效率,適合用于要求高電流處理的應用。

### IRLR3717TRLPBF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
- **器件類型**:N溝道MOSFET
- **封裝**:TO252
- **配置**:單通道
- **漏源極電壓 (VDS)**:20V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS = 2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**:120A
- **技術**:Trench溝槽技術
- **功耗**:低功耗,適合高電流應用
- **熱阻**:優(yōu)化的封裝設計有助于高效的熱管理,確保器件穩(wěn)定性

### 應用領域和模塊
1. **高效電源開關**:IRLR3717TRLPBF-VB 由于其極低的導通電阻和高電流處理能力,非常適合用于高效電源開關應用。在開關電源和電源管理模塊中,該MOSFET 可以有效控制電源開關,降低功耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **DC-DC轉換器**:在DC-DC轉換器中,這款MOSFET 的低導通電阻使其能夠提供穩(wěn)定的電流控制,減少能量損失,從而提高轉換效率。它適用于高功率轉換器和高效能電源轉換應用。

3. **電機驅動**:IRLR3717TRLPBF-VB 的高電流處理能力使其非常適合電機驅動系統(tǒng),如電動工具、電動車和家用電器中的電機控制。其低導通電阻可以支持電機的高電流負載,確保電機的平穩(wěn)運行。

4. **LED照明**:在LED照明系統(tǒng)中,MOSFET 可以作為開關元件,控制LED的電流。由于其超低導通電阻和高電流能力,該MOSFET 能夠高效地驅動LED,提升亮度和系統(tǒng)效率。

5. **汽車電子**:該MOSFET 也適用于汽車電子中的電源開關和電流控制應用。例如,在汽車的電源管理系統(tǒng)中,IRLR3717TRLPBF-VB 可以實現(xiàn)高效的電流控制,提升車載電子設備的性能和可靠性。

IRLR3717TRLPBF-VB 的低導通電阻和高電流能力使其在這些領域中具有顯著的優(yōu)勢,是處理低電壓、高電流負載的理想選擇。

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