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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR3717TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR3717TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:
IRLR3717TRPBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。它利用先進的 Trench 技術(shù),特別適用于要求高開關(guān)效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。該 MOSFET 具有 20V 的漏極-源極耐壓(VDS),適合用于中低電壓電路中。其閾值電壓(Vth)范圍為 0.5V 到 1.5V,能夠在低柵極電壓下實現(xiàn)有效的開關(guān)操作。IRLR3717TRPBF-VB 的導(dǎo)通電阻在 2.5V 的柵極電壓下為 3.5mΩ,在 4.5V 的柵極電壓下為 2.5mΩ,支持最大 120A 的漏極電流。這些特性使得該 MOSFET 在需要高電流、低功耗和高開關(guān)速度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號**: IRLR3717TRPBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS=2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
- **高效電源轉(zhuǎn)換器**:IRLR3717TRPBF-VB 的超低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊。它能夠減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,并實現(xiàn)高性能的電源管理。

- **電機驅(qū)動電路**:在電機驅(qū)動電路中,該 MOSFET 可以用作高效的開關(guān)元件,處理高電流負(fù)載。由于其低導(dǎo)通電阻,它能夠在電機驅(qū)動應(yīng)用中提供較少的能量損耗,并提高系統(tǒng)的整體效率。

- **自動化控制系統(tǒng)**:IRLR3717TRPBF-VB 適用于各種自動化控制系統(tǒng)中的高電流開關(guān)需求,如電動執(zhí)行器和驅(qū)動控制模塊。其高開關(guān)速度和低功耗特性確保了系統(tǒng)的響應(yīng)時間和操作效率。

- **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 用于控制充電和放電過程。低導(dǎo)通電阻和高電流能力幫助提高系統(tǒng)的效率,優(yōu)化電池性能并延長電池壽命。

- **功率調(diào)節(jié)和保護**:IRLR3717TRPBF-VB 也可用于功率調(diào)節(jié)和保護電路中,如過流保護和負(fù)載開關(guān)。它的高開關(guān)能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在各種保護電路中實現(xiàn)高效和可靠的性能。

IRLR3717TRPBF-VB 的設(shè)計目標(biāo)是滿足高電流、高開關(guān)效率以及低功耗的應(yīng)用需求,廣泛適用于電源管理、電機驅(qū)動、電池管理、自動化控制和功率保護等多個領(lǐng)域。

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