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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRLR7811WCPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR7811WCPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRLR7811WCPBF-VB 是一款高性能單N溝道(Single-N-Channel)MOSFET,封裝為TO252。該MOSFET的主要特性包括30V的漏源電壓(VDS)、100A的漏極電流(ID),以及極低的導(dǎo)通電阻,分別為3mΩ(@VGS=4.5V)和2mΩ(@VGS=10V)。其柵極閾值電壓(Vth)為1.7V,并采用Trench技術(shù)。這些特性使其在高電流和低電壓條件下表現(xiàn)優(yōu)異,非常適合用于高效的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **功耗**:適合高電流應(yīng)用
- **開(kāi)關(guān)速度**:適合中高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
- **熱管理**:TO252封裝提供良好的散熱性能,適用于高功率密度應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源開(kāi)關(guān)**:IRLR7811WCPBF-VB 可以廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中提供高效、低功耗的開(kāi)關(guān)控制,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET能夠作為電機(jī)控制電路中的開(kāi)關(guān)元件,提供可靠的電流控制。其低RDS(ON)值使其能夠有效降低功率損耗,提高電機(jī)的性能和效率,適合用于中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,IRLR7811WCPBF-VB 可以用作電池保護(hù)和電流控制的開(kāi)關(guān)元件。由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,它可以確保在電池充放電過(guò)程中保持高效的開(kāi)關(guān)控制,提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。

4. **汽車電子**:該MOSFET適用于汽車電子系統(tǒng)中的各種應(yīng)用,如電池管理、電機(jī)控制和電源開(kāi)關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠滿足汽車系統(tǒng)對(duì)電流和功率的要求,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制。

總結(jié)來(lái)說(shuō),IRLR7811WCPBF-VB憑借其30V的漏源電壓、100A的漏極電流及極低的導(dǎo)通電阻,適用于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理和汽車電子等領(lǐng)域,為這些應(yīng)用提供了高效、穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)解決方案。

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