日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

IXTY10P15T-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IXTY10P15T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID -15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IXYT10P15T-VB 產(chǎn)品簡介

IXYT10P15T-VB 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,封裝為 TO252,專為中高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)可達(dá) -150V,使其適合處理負(fù)電壓環(huán)境。該器件的柵極源極電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -2V,能夠在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下工作。采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 160mΩ @ VGS=10V),有助于降低功耗和熱量生成,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:IXYT10P15T-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓(VDS)**:-150V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:-15A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **負(fù)電源開關(guān)**:IXYT10P15T-VB 可用于負(fù)電源開關(guān)電路,適合需要高壓負(fù)載的電源管理應(yīng)用,確保穩(wěn)定的負(fù)電壓供應(yīng)。

2. **H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)控制應(yīng)用中,該 P 通道 MOSFET 可作為 H 橋中的開關(guān)器件,適用于正負(fù)電流的控制,提供平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中,IXYT10P15T-VB 能夠有效處理負(fù)電壓輸出,適合可再生能源系統(tǒng),如太陽能逆變器。

4. **電池管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 可用于電池管理應(yīng)用,控制電池充放電過程,確保安全和高效的能量傳輸。

5. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:在 LED 照明應(yīng)用中,IXYT10P15T-VB 可用于負(fù)電源驅(qū)動(dòng),確保 LED 模塊的高效能和可靠性。

以上是 IXYT10P15T-VB 的產(chǎn)品簡介、詳細(xì)參數(shù)說明及其適用領(lǐng)域的示例。如需更多信息或具體應(yīng)用案例,請隨時(shí)告知!

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    731瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    610瀏覽量
馆陶县| 阿巴嘎旗| 靖边县| 雅江县| 郸城县| 姜堰市| 绥阳县| 镇江市| 湘阴县| 江城| 鄂温| 中超| 湘乡市| 喀什市| 贡觉县| 阳春市| 土默特左旗| 交城县| 扎赉特旗| 颍上县| 广东省| 清流县| 陇西县| 双江| 吴堡县| 页游| 盐山县| 彰武县| 新昌县| 玉屏| 连江县| 昌吉市| 荣昌县| 丰都县| 平乐县| 五大连池市| 包头市| 廊坊市| 咸丰县| 东兰县| 龙陵县|