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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J325-Z-E1-AZ-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: J325-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J325-Z-E1-AZ-VB 產(chǎn)品簡介

J325-Z-E1-AZ-VB 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中低壓應用設(shè)計。該器件的漏源電壓(VDS)為 -30V,適用于負電壓環(huán)境。其柵極源極電壓(VGS)可達 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -1.7V,能夠在較低的驅(qū)動電壓下正常工作。采用 Trench 技術(shù),提供低導通電阻(RDS(ON) = 46mΩ @ VGS=4.5V 和 33mΩ @ VGS=10V),確保在高電流條件下的高效能與低功耗,廣泛應用于各種電源管理和開關(guān)電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:J325-Z-E1-AZ-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓(VDS)**:-30V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 46mΩ @ VGS=4.5V
 - 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:-38A
- **技術(shù)**:Trench

### 應用領(lǐng)域與模塊示例

1. **負電源開關(guān)**:J325-Z-E1-AZ-VB 非常適合用作負電源開關(guān),廣泛應用于音頻放大器和需要負電壓供電的電子設(shè)備,確保穩(wěn)定的電源管理和輸出。

2. **電機驅(qū)動器**:在電機控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可作為 H 橋電路的開關(guān)元件,能夠有效調(diào)節(jié)電機的正負電流,實現(xiàn)高效驅(qū)動。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:J325-Z-E1-AZ-VB 適用于多種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,尤其是在需要負電壓輸出的應用中,如電力轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器,確保系統(tǒng)的高效能與穩(wěn)定性。

4. **電池管理系統(tǒng)**:該器件能夠高效控制電池的充放電過程,提升電池管理系統(tǒng)的可靠性,適合用于便攜式設(shè)備和各類電源管理應用。

5. **LED 驅(qū)動電路**:在 LED 照明和驅(qū)動應用中,J325-Z-E1-AZ-VB 可作為負電源驅(qū)動,提供高效能和長壽命的照明解決方案,以滿足市場對高亮度照明的需求。

以上是 J325-Z-E1-AZ-VB 的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明及其適用領(lǐng)域的示例。如需更多信息或具體應用案例,請隨時告知!

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