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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J377-Z-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J377-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J377-Z-VB 產(chǎn)品簡介

J377-Z-VB 是一款高性能的單極性 P 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件能夠承受高達(dá) -60V 的漏源電壓,并具有優(yōu)良的電氣特性。其基于 Trench 技術(shù),能夠在高負(fù)載條件下提供卓越的導(dǎo)電性能。憑借較低的導(dǎo)通電阻,J377-Z-VB 不僅提高了系統(tǒng)效率,還有效降低了熱量產(chǎn)生,適合用于多種電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: J377-Z-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單極性 P 型  
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 72mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 61mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏電流 (ID)**: -30A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

J377-Z-VB 在多個應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其優(yōu)越的適用性。首先,在電源管理方面,該 MOSFET 非常適合用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓和高電流條件下提供穩(wěn)定的電流輸出,提升系統(tǒng)效率,并有效降低能量損耗。其次,在家用電器和工業(yè)設(shè)備中,J377-Z-VB 可作為負(fù)載開關(guān),實現(xiàn)快速電流控制,提高設(shè)備響應(yīng)速度和靈活性。此外,該器件在電動機驅(qū)動和高功率應(yīng)用中同樣表現(xiàn)出色,適合用于電動工具、機床和電力系統(tǒng),確保在高負(fù)載和高電壓條件下穩(wěn)定運行。這些特性使得 J377-Z-VB 成為設(shè)計工程師在高功率和高效率應(yīng)用中的理想選擇。

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