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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J383-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J383-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J383-VB 產(chǎn)品簡介

J383-VB 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計用于中低壓應(yīng)用。該器件的漏源電壓(VDS)為 -30V,適用于負電壓環(huán)境。其柵極源極電壓(VGS)可達 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -1.7V,支持低驅(qū)動電壓下的穩(wěn)定工作。采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 46mΩ @ VGS=4.5V 和 33mΩ @ VGS=10V),確保在高電流條件下的優(yōu)異性能,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開關(guān)電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:J383-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓(VDS)**:-30V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 46mΩ @ VGS=4.5V
 - 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:-38A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **負電源開關(guān)**:J383-VB 可作為負電源開關(guān),廣泛應(yīng)用于需要負電壓供電的電子設(shè)備,如音頻放大器和信號處理器,確保穩(wěn)定的電源管理。

2. **電機驅(qū)動器**:在電機控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用作 H 橋電路的開關(guān)元件,有效調(diào)節(jié)電機的運行方向和速度,實現(xiàn)高效驅(qū)動。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:J383-VB 適用于多種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,特別是在需要負電壓輸出的應(yīng)用中,如電力轉(zhuǎn)換器和逆變器,提升轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **電池管理系統(tǒng)**:該器件在電池管理系統(tǒng)中可用于控制充放電過程,確保電池安全高效地運行,適用于便攜式電子設(shè)備。

5. **LED 驅(qū)動電路**:在 LED 照明應(yīng)用中,J383-VB 可作為負電源驅(qū)動,提供高效能和持久的照明解決方案,滿足市場對高亮度照明的需求。

如需更多信息或具體應(yīng)用案例,請隨時告知!

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