--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:J473-01L-VB
J473-01L-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為需要高效能和可靠性的應(yīng)用設(shè)計。憑借其先進的Trench技術(shù),J473-01L-VB提供極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適合各種電源管理和負載驅(qū)動場景。該產(chǎn)品的設(shè)計旨在優(yōu)化功耗和熱管理,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的高效能需求。
### 詳細參數(shù)說明:
- **型號**:J473-01L-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單P溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-60V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 72mΩ(在VGS=4.5V時)
- 61mΩ(在VGS=10V時)
- **最大漏極電流(ID)**:-30A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源管理**:
J473-01L-VB廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng),如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配電路中,能夠有效降低功耗和提高轉(zhuǎn)換效率,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
2. **電動汽車**:
在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于控制充電和放電過程,提高電池的使用效率和安全性,幫助延長電池壽命。
3. **LED驅(qū)動器**:
J473-01L-VB適合用于LED驅(qū)動電路,作為高效開關(guān)元件,控制LED的開關(guān)狀態(tài)和亮度,廣泛應(yīng)用于各種照明解決方案中。
4. **通信設(shè)備**:
在通信設(shè)備中,該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的電流控制,適用于功率放大器和信號處理模塊,確保設(shè)備在高負載情況下的可靠性。
通過這些應(yīng)用示例,J473-01L-VB展示了其在多個領(lǐng)域的廣泛適用性,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高性能和低功耗的要求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12