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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J527STL-E-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J527STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J527STL-E-VB 產(chǎn)品簡介

J527STL-E-VB 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計用于中高電流和低電壓應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)為 -60V,支持 ±20V 的柵極源極電壓(VGS),具有良好的閾值電壓(Vth = -1.7V),使其在較低電壓下有效工作。此 MOSFET 使用 Trench 技術(shù),提供優(yōu)異的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),確保在高負(fù)載條件下的低功耗和高效率,廣泛應(yīng)用于電源管理和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:J527STL-E-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓(VDS)**:-60V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 72mΩ @ VGS=4.5V
 - 61mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:-30A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理**:該 MOSFET 可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān),能夠高效控制負(fù)載,適合各種電子設(shè)備的電源管理。

2. **電動機(jī)控制**:在電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,J527STL-E-VB 可以用作 H 橋中的開關(guān)元件,提供精確的電流控制,適合電動工具和家用電器。

3. **LED 驅(qū)動**:該器件非常適合 LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)動電路,能夠保證穩(wěn)定的電流,適用于商業(yè)和住宅照明解決方案。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充放電管理中,J527STL-E-VB 可確保高效安全的電池操作,廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備和電動車輛。

5. **逆變器應(yīng)用**:在可再生能源領(lǐng)域,該 MOSFET 可用于太陽能逆變器,實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和電流管理,適合綠色能源技術(shù)應(yīng)用。

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