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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J529STL-E-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J529STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:J529STL-E-VB

J529STL-E-VB是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和中等電壓應(yīng)用設(shè)計。該產(chǎn)品利用先進的Trench技術(shù),實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和出色的熱性能,適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其高效的電流控制能力使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇,廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換和負載開關(guān)電路。

### 詳細參數(shù)說明:

- **型號**:J529STL-E-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單P溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-60V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 72mΩ(在VGS=4.5V時)
 - 61mΩ(在VGS=10V時)
- **最大漏極電流(ID)**:-30A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **電源管理**:
  J529STL-E-VB廣泛用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動電路和電源分配系統(tǒng),以提高電源效率,確保電流穩(wěn)定。

2. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)自動化和電機控制系統(tǒng)中,該MOSFET能夠有效地管理負載,提供可靠的開關(guān)性能,支持各種設(shè)備的正常運行。

3. **消費電子**:
  該MOSFET適用于智能手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理模塊,提升電池使用效率和設(shè)備續(xù)航能力。

4. **汽車電子**:
  在電動車輛和汽車電子系統(tǒng)中,J529STL-E-VB可用于電源開關(guān)、充電器和電池管理系統(tǒng),提高能量利用效率和安全性。

通過以上應(yīng)用示例,J529STL-E-VB展示了其在各個領(lǐng)域的廣泛適用性,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效、低功耗和可靠性的需求。

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