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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J601-Z-E1-AZ-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J601-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
  • ID -50A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J601-Z-E1-AZ-VB 產(chǎn)品簡介

J601-Z-E1-AZ-VB 是一款高性能的單極性 P 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件支持高達(dá) -60V 的漏源電壓,結(jié)合先進(jìn)的 Trench 技術(shù),實現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻,使其在電源管理和負(fù)載切換中表現(xiàn)出色。J601-Z-E1-AZ-VB 適用于多種應(yīng)用場景,確保高效和可靠的操作。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: J601-Z-E1-AZ-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單極性 P 型  
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 25mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 20mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏電流 (ID)**: -50A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

J601-Z-E1-AZ-VB 在多個應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)異的性能,特別適用于電源管理和高功率負(fù)載切換。在開關(guān)電源設(shè)計中,該 MOSFET 能夠高效地進(jìn)行電壓調(diào)節(jié),降低能耗并提高效率。同時,它在電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中也表現(xiàn)良好,能夠承受較高電流,實現(xiàn)快速切換。此外,J601-Z-E1-AZ-VB 適合于電池管理系統(tǒng)和消費電子產(chǎn)品中,確保在高負(fù)載情況下的安全性和穩(wěn)定性??傊?,該器件是實現(xiàn)高效、可靠電源管理的理想選擇。

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