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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J610-TL-E-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: J610-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID -6A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J610-TL-E-VB 產(chǎn)品簡介

J610-TL-E-VB 是一款高性能單 P 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓應用設(shè)計。其額定漏源電壓 (VDS) 為 -250V,能夠支持高達 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。該器件的開啟門限電壓 (Vth) 為 -2V,適用于較低的控制電壓。J610-TL-E-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 1200mΩ,在 VGS 為 10V 時為 1000mΩ,盡管導通電阻較高,但其能夠在負載較大時穩(wěn)定工作,最大漏極電流 (ID) 為 -6A。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),具備優(yōu)異的熱管理特性和高效能,適合各種電源和開關(guān)應用。

---

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: J610-TL-E-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單 P 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: -250V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **門限電壓 (Vth)**: -2V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 1200mΩ @ VGS=4.5V  
 - 1000mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: -6A  
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)  
- **最大功耗 (PD)**: 100W  
- **熱阻 (RθJC)**: 2.5°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應用領(lǐng)域與模塊說明

1. **高壓電源管理**: J610-TL-E-VB 特別適合用于高電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器。這種高電壓 MOSFET 可以在電源轉(zhuǎn)換過程中提供穩(wěn)定的性能,有助于提高系統(tǒng)效率。

2. **電動汽車及電池管理**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,J610-TL-E-VB 可以有效控制電池充放電過程,能夠處理較大的電流并承受高電壓,適合用于電池保護和監(jiān)測應用。

3. **工業(yè)控制與自動化**: 該 MOSFET 也適用于工業(yè)自動化系統(tǒng)中的開關(guān)和控制應用,尤其是在需要高電壓和中等電流的場合,如電機驅(qū)動和繼電器控制等。

4. **再生能源系統(tǒng)**: J610-TL-E-VB 在太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中也能發(fā)揮重要作用,能夠高效管理從光伏電池或風力渦輪機輸出的電力,確保高效轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。其高電壓能力使其特別適合與高電壓再生能源系統(tǒng)配合使用。

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