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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J636-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: J636-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 250mΩ@VGS=10V
  • ID -8.8A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、J636-VB產(chǎn)品簡介

J636-VB是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應用設計。該器件具有最大漏源電壓-100V,能夠承受高電壓環(huán)境,廣泛應用于電源管理和開關控制系統(tǒng)。J636-VB采用先進的Trench技術,提供良好的導通性能和開關特性,最大漏極電流為-8.8A,適合于中等功率的電子應用場景。

### 二、J636-VB詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO252  
  該封裝形式支持良好的散熱性能,適合緊湊的電路布局。

2. **溝道類型**:單P溝道  
  設計用于負電源開關和反向電流控制應用。

3. **漏源電壓(VDS)**:-100V  
  適用于高電壓電源管理系統(tǒng)。

4. **柵極驅(qū)動電壓(VGS)**:±20V  
  提供靈活的柵極控制選項,適合多種電路設計。

5. **閾值電壓(Vth)**:-2V  
  該閾值電壓使得器件能夠在較低的柵極電壓下啟動,提高了應用靈活性。

6. **導通電阻(RDS(ON))**:  
  - 280mΩ @ VGS = 4.5V  
  - 250mΩ @ VGS = 10V  
  盡管導通電阻相對較高,但仍能在適用場景中保持良好的性能。

7. **最大漏極電流(ID)**:-8.8A  
  適合于中等功率應用,能夠支持多種負載。

8. **技術類型**:Trench  
  Trench技術提供較低的開關損耗和良好的開關特性,提升整體效率。

### 三、J636-VB應用領域和模塊示例

1. **電源轉換器**
  J636-VB非常適合用于DC-DC轉換器中,特別是在要求高電壓和中等電流的應用中。該器件能夠高效地控制電源輸出,確保電源轉換過程中的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **高壓電源管理**
  在各種高壓電源管理系統(tǒng)中,J636-VB可以用作負電源開關,以控制電源的開啟和關閉。它在電壓較高的應用環(huán)境中能夠有效地保證系統(tǒng)安全與穩(wěn)定運行。

3. **工業(yè)設備**
  J636-VB可用于工業(yè)控制設備和電機驅(qū)動中,尤其是在需要高電壓切換的場合。其可靠的性能使得設備能夠快速響應,提高了整體工作效率。

4. **消費電子產(chǎn)品**
  在某些消費電子設備中,尤其是那些需要高電壓供電的設備,J636-VB可以有效地用作電源管理開關,確保設備在高負載情況下的穩(wěn)定性與高效能。

J636-VB以其高電壓承受能力和良好的開關特性,適應了現(xiàn)代電子設備對高效能與可靠性的需求,能夠廣泛應用于電源管理、工業(yè)自動化及消費電子等多個領域。

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