--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### J643-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
J643-VB 是一款高性能的單路 P 通道 MOSFET,專為低壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計。其采用 TO252 封裝,適合空間受限的設(shè)計。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為 -30V,柵源電壓(VGS)額定值為 ±20V,采用了先進的溝槽技術(shù),確保高效、可靠的操作。其低閾值電壓(Vth)為 -1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 46mΩ,在 VGS=10V 時為 33mΩ,能夠有效減少導(dǎo)通損耗。此外,其最大漏電流(ID)可達 -38A,適合處理較高的功率負載。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單路 P 通道
- **VDS(漏源電壓)**: -30V
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V
- **Vth(閾值電壓)**: -1.7V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
- 46mΩ @ VGS = 4.5V
- 33mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏電流)**: -38A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)
- **功率耗散(Pd)**: 適合高功率耗散應(yīng)用,具有良好的散熱管理
- **工作溫度范圍**: -55°C 到 150°C (Tj max)
- **門電荷(Qg)**: 低門電荷,確保高效開關(guān)性能。
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
J643-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用,主要包括:
1. **電源管理**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,J643-VB MOSFET 非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊。這使其在計算機電源、通信設(shè)備以及工業(yè)電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,能夠有效提高能效并降低熱量生成。
2. **電池管理系統(tǒng)**: J643-VB 適合用于電池管理應(yīng)用,尤其是在電動汽車和可再生能源儲能系統(tǒng)中。其 P 通道配置簡化了高邊開關(guān)的設(shè)計,能夠有效管理電池的充放電過程,確保安全性和高效性。
3. **電動機驅(qū)動**: 該 MOSFET 也適用于電動機控制應(yīng)用,例如在電動工具、家電和電動汽車的電機驅(qū)動中。憑借其高達 -38A 的漏電流能力,J643-VB 能夠滿足高功率電機的驅(qū)動需求,特別是在對功率密度和效率要求較高的環(huán)境中。
4. **負載開關(guān)**: J643-VB MOSFET 可以用于負載開關(guān)應(yīng)用,能夠高效地控制電流流動,適用于各種高功率負載的開關(guān)控制。這使其在消費電子、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
J643-VB MOSFET 的優(yōu)異性能和廣泛適用性使其成為高功率開關(guān)任務(wù)中的理想解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12