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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J646-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J646-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J646-VB 產(chǎn)品簡介

J646-VB 是一款高性能的單 P 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低壓高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的額定漏源電壓 (VDS) 為 -30V,支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。其開啟門限電壓 (Vth) 為 -1.7V,使其在較低的柵壓下能夠快速開啟。J646-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 46mΩ,在 VGS 為 10V 時為 33mΩ,表明其在負(fù)載下能夠提供較低的功耗和高效能,最大漏極電流 (ID) 可達(dá)到 -38A。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有優(yōu)良的熱管理特性,適用于多種電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: J646-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單 P 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **門限電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 46mΩ @ VGS=4.5V  
 - 33mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: -38A  
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)  
- **最大功耗 (PD)**: 50W  
- **熱阻 (RθJC)**: 3°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **電源管理與轉(zhuǎn)換**: J646-VB 非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器,能夠在電源轉(zhuǎn)換過程中提供高效能和低功耗。其低導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載條件下的良好性能。

2. **電動工具和家用電器**: 由于其較高的最大漏極電流,J646-VB 適用于電動工具、家用電器等高功率設(shè)備的電源管理和控制。這種 MOSFET 可以在快速開關(guān)操作中保證設(shè)備的可靠性和高效性。

3. **LED 驅(qū)動器**: J646-VB 也適合用于 LED 驅(qū)動模塊,尤其是在需要高電流和高效能的照明應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻可以有效降低能耗,并提供穩(wěn)定的電流輸出。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**: 該 MOSFET 適用于電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)和控制應(yīng)用,能夠高效管理電池的充放電過程。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保了電池在充電和放電過程中的安全與高效。

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