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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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JCS630RA-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: JCS630RA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、JCS630RA-VB 產(chǎn)品簡介
JCS630RA-VB 是一款高效能 N-溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 為 200V,最大漏極電流 (ID) 可達 10A,閾值電壓 (Vth) 為 3V,導通電阻 (RDS(ON)) 為 245mΩ(在柵源電壓 VGS 為 10V 時)。JCS630RA-VB 的 Trench 技術(shù)優(yōu)化了電流流動路徑,顯著降低了導通損耗和熱損耗,適合多種電源管理、開關(guān)和驅(qū)動應(yīng)用。

### 二、JCS630RA-VB 詳細參數(shù)說明
- **型號**:JCS630RA-VB  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單 N-溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:200V  
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:245mΩ(@VGS=10V)  
- **最大漏極電流 (ID)**:10A  
- **技術(shù)**:Trench  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗**:視具體應(yīng)用而定  
- **開關(guān)速度**:適合一般開關(guān)應(yīng)用  
- **電氣特性**:具有較低的導通電阻和較高的耐壓能力  

### 三、JCS630RA-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  JCS630RA-VB 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中被廣泛應(yīng)用。由于其低導通電阻和高電流能力,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的電壓轉(zhuǎn)換,適用于各種便攜式和固定電源設(shè)備,如手機充電器和電源適配器。

2. **電機驅(qū)動器**  
  該 MOSFET 適用于電機驅(qū)動應(yīng)用,例如無刷直流電機和步進電機。其快速開關(guān)特性和高電流承載能力使其成為電機控制系統(tǒng)中理想的開關(guān)元件,有助于提高電機的效率和響應(yīng)速度。

3. **電源管理系統(tǒng)**  
  JCS630RA-VB 可用于電源管理模塊,如電池管理和電源監(jiān)控系統(tǒng)。其高耐壓和低導通損耗的特性使其能夠有效延長電池壽命并提高系統(tǒng)效率,適合用于電動工具、太陽能逆變器等設(shè)備中。

4. **功率放大器**  
  此 MOSFET 也可在音頻功率放大器和通信設(shè)備中應(yīng)用。它能夠處理較大的功率并提供良好的信號放大效果,確保設(shè)備在不同工作條件下都能保持優(yōu)良性能。

綜上所述,JCS630RA-VB 是一款多用途、高效能的 N-溝道 MOSFET,非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備的各種應(yīng)用場景。

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