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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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JCS630R-O-R-N-A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: JCS630R-O-R-N-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、JCS630R-O-R-N-A-VB產(chǎn)品簡介

JCS630R-O-R-N-A-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中高壓應用設計。該器件的最大漏源電壓為200V,能夠承受高達10A的漏極電流,適合多種功率管理和開關應用。其導通電阻為245mΩ@VGS=10V,結合其高效的Trench技術,確保了在高效能電力傳輸中的出色表現(xiàn)。這款MOSFET廣泛應用于電源轉換、電機驅動和LED驅動等領域。

### 二、JCS630R-O-R-N-A-VB詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO252  
  提供優(yōu)良的散熱性能,適合于中等功率和高壓應用。

2. **溝道類型**:單N溝道  
  適用于電源開關和高效能轉換器,能夠高效控制電流。

3. **漏源電壓(VDS)**:200V  
  高壓能力適合多種電力應用,能夠滿足高壓系統(tǒng)的需求。

4. **柵極驅動電壓(VGS)**:±20V  
  靈活的柵極驅動電壓范圍,使其與不同電路兼容。

5. **閾值電壓(Vth)**:3V  
  合理的閾值電壓確保器件快速開啟,提高開關速度。

6. **導通電阻(RDS(ON))**:245mΩ @ VGS = 10V  
  較低的導通電阻降低了功率損耗,提高了能效。

7. **最大漏極電流(ID)**:10A  
  能夠承受較大的電流負載,適合多種電力應用。

8. **技術類型**:Trench  
  先進的Trench技術提高了器件的性能,確保在高頻和高效率應用中的出色表現(xiàn)。

### 三、JCS630R-O-R-N-A-VB應用領域和模塊示例

1. **開關電源**
  JCS630R-O-R-N-A-VB在開關電源設計中具有重要作用,適合用于DC-DC轉換器和AC-DC適配器,確保高效的電力轉換和穩(wěn)定的輸出。

2. **電機驅動**
  該MOSFET適用于電機控制電路,可以高效地開關電機,提高電機啟動和運行的效率,適合電動車輛和工業(yè)自動化設備。

3. **LED驅動**
  在LED驅動應用中,JCS630R-O-R-N-A-VB可以作為開關元件,控制LED燈的開關,適用于各類照明系統(tǒng),包括家庭照明和商業(yè)照明。

4. **消費電子**
  該MOSFET在各種消費電子設備中也有應用,如家用電器、充電器和UPS(不間斷電源),提供穩(wěn)定的電力管理解決方案。

憑借其優(yōu)異的性能,JCS630R-O-R-N-A-VB為各類電力電子應用提供了可靠的解決方案,特別是在高壓和中功率領域中表現(xiàn)出色。

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