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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1195-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1195-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1195-VB 產(chǎn)品簡介

K1195-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 為 200V,適用于多種電源管理和開關(guān)電路。K1195-VB 的門限電壓 (Vth) 為 3V,確保在較低的柵源電壓下實現(xiàn)快速導通,增強開關(guān)效率。該 MOSFET 在 VGS 為 10V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 為 245mΩ,支持最大 10A 的漏極電流 (ID),使其能夠高效地處理功率轉(zhuǎn)換。憑借其 Trench 技術(shù),K1195-VB 提供卓越的性能與熱管理,適合高要求的電力電子應(yīng)用。

---

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: K1195-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **門限電壓 (Vth)**: 3V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 245mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 10A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **最大功耗 (PD)**: 45W  
- **熱阻 (RθJC)**: 3.5°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **電源管理系統(tǒng)**: K1195-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源 (SMPS) 和電源適配器中,提供穩(wěn)定的電壓輸出和高效的功率轉(zhuǎn)換,適合消費電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備的電源模塊。

2. **電動機驅(qū)動**: 該 MOSFET 可用于直流電動機和步進電動機的驅(qū)動電路中,支持高達 10A 的電流輸出,適用于家用電器、機器人和自動化設(shè)備的控制。

3. **LED 照明**: K1195-VB 在 LED 驅(qū)動電路中表現(xiàn)出色,能夠提供穩(wěn)定的電流控制,確保 LED 燈具的高效能和長壽命,適合商業(yè)和住宅照明應(yīng)用。

4. **逆變器**: 該 MOSFET 適用于逆變器設(shè)計中,能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,廣泛應(yīng)用于可再生能源系統(tǒng),如太陽能逆變器和風能發(fā)電系統(tǒng)。

5. **高頻開關(guān)電路**: K1195-VB 的低導通電阻和快速開關(guān)特性使其適合高頻開關(guān)應(yīng)用,廣泛用于通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源管理,確保系統(tǒng)的高效運作和響應(yīng)速度。

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