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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1254S-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1254S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1254S-VB MOSFET產(chǎn)品簡介

K1254S-VB是一款高效能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低至中壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源極電壓(VDS)可達(dá)100V,適用于多種柵極驅(qū)動配置,具有±20V的柵極電壓(VGS)范圍。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為1.8V,確保其在較低的驅(qū)動電壓下也能快速導(dǎo)通。K1254S-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為114mΩ(在VGS為10V時(shí)),能夠在大電流下提供低功耗性能。采用Trench技術(shù),該MOSFET具有較好的熱性能和電氣特性,廣泛應(yīng)用于電源管理和電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。

### K1254S-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench

### K1254S-VB應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理**: K1254S-VB在電源管理模塊中非常適用,可以用作DC-DC變換器中的開關(guān)元件,以提高轉(zhuǎn)換效率和降低功耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動**: 該MOSFET廣泛應(yīng)用于電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng),特別是在電動工具和家用電器中,能夠有效控制電機(jī)的啟動和速度。

3. **LED驅(qū)動**: 在LED驅(qū)動電路中,K1254S-VB能夠提供穩(wěn)定的電流,確保LED燈具的亮度一致性,同時(shí)降低能量損耗。

4. **開關(guān)電源**: 由于其高效率和低導(dǎo)通電阻,K1254S-VB適用于開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用,如適配器和電源轉(zhuǎn)換器,能夠滿足高性能的電源需求。

5. **汽車電子**: K1254S-VB也可用于汽車電子系統(tǒng)中,例如電動窗控制和電動座椅調(diào)節(jié),確保高效、可靠的性能。

通過其卓越的電氣特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,K1254S-VB MOSFET為現(xiàn)代電源管理和電動機(jī)驅(qū)動提供了高效、可靠的解決方案。

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