日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

K1748-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1748-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1748-VB 產(chǎn)品簡介

K1748-VB 是一款高效能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為各種中高功率應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 可達到 60V,適合用于需要良好電源管理的電力電子系統(tǒng)。K1748-VB 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使其能夠在較低的柵電壓下工作,從而有效提高開關(guān)效率。其在 VGS=10V 下的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 73mΩ,確保了低功耗和熱耗散性能。這款 MOSFET 的最大漏電流 (ID) 為 18A,使其在多種高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K1748-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1748-VB 在多個行業(yè)和模塊中有著廣泛的應(yīng)用,以下是一些典型的應(yīng)用場景:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:
  - 由于其低導(dǎo)通電阻和良好的導(dǎo)通特性,K1748-VB 非常適合用作開關(guān)電源中的主開關(guān)元件。其高效率使得在電源轉(zhuǎn)換中減少功率損耗,進而提高整體系統(tǒng)的能效。

2. **LED 驅(qū)動電路**:
  - 該 MOSFET 可用于 LED 驅(qū)動電路中,確保穩(wěn)定的電流輸出。其優(yōu)良的電氣特性能夠提高 LED 照明系統(tǒng)的亮度均勻性和壽命。

3. **電機控制**:
  - K1748-VB 可以用于電機控制系統(tǒng),尤其是在直流電機驅(qū)動和無刷電機應(yīng)用中。其高電流能力和快速開關(guān)特性,能夠?qū)崿F(xiàn)電機的高效控制,提高系統(tǒng)響應(yīng)速度。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
  - 在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于控制充電和放電過程,確保電池的安全性與性能。其在高電流和高電壓下的良好表現(xiàn),使其適用于多種電池配置。

5. **功率放大器**:
  - K1748-VB 也可用于功率放大器中,作為輸出級的開關(guān)元件,能夠處理較大的功率,滿足音頻和射頻應(yīng)用的需求。

綜上所述,K1748-VB 是一款設(shè)計精良的 N 溝道 MOSFET,其廣泛的應(yīng)用場景使其成為電力電子領(lǐng)域的理想選擇,能夠有效滿足高效能和高可靠性的要求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    730瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    609瀏覽量
长宁区| 嘉黎县| 延川县| 南京市| 高淳县| 科技| 崇阳县| 富锦市| 独山县| 宣威市| 磐石市| 柞水县| 瑞金市| 桂林市| 樟树市| 中江县| 惠来县| 盐津县| 梁河县| 九台市| 霸州市| 玉环县| 收藏| 遂溪县| 桃园市| 台中县| 保康县| 炉霍县| 周口市| 桐梓县| 仁怀市| 玉田县| 渑池县| 泽州县| 隆化县| 滁州市| 晋城| 沙坪坝区| 城固县| 三门县| 左贡县|