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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1748-Z-T1-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1748-Z-T1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1748-Z-T1-VB 產(chǎn)品簡介

K1748-Z-T1-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高功率應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)可達60V,適合各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的最大柵源電壓(VGS)為±20V,具有良好的電氣穩(wěn)定性和靈活性。K1748-Z-T1-VB的閾值電壓(Vth)為1.7V,能夠在較低的柵電壓下實現(xiàn)快速開啟。其在VGS為4.5V和10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為85mΩ和73mΩ,確保低導(dǎo)通損耗和高效率。最大漏電流(ID)為18A,適合在較高電流條件下運行,采用Trench技術(shù),展現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性和高效率。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: K1748-Z-T1-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 60V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1748-Z-T1-VB在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用潛力,包括:

1. **電源管理**: 該MOSFET非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器,能夠在低電壓下提供高效率的電能轉(zhuǎn)換,適用于移動設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品的電源管理。

2. **LED驅(qū)動**: K1748-Z-T1-VB可用于LED驅(qū)動電路中,作為開關(guān)元件,能夠快速響應(yīng)控制信號,實現(xiàn)高效的照明解決方案,廣泛應(yīng)用于燈具和顯示屏的驅(qū)動。

3. **電動工具**: 在電動工具中,該器件可用于電機驅(qū)動和控制電路,能夠支持高電流需求,提升電動工具的性能和效率。

4. **工業(yè)自動化**: 該MOSFET可用于工業(yè)設(shè)備的電源和控制系統(tǒng),確保在高負載和高頻率下的穩(wěn)定工作,適合各種自動化應(yīng)用,如機器人和PLC控制器。

通過這些應(yīng)用示例,K1748-Z-T1-VB展示了其在低電壓高功率電源和開關(guān)電路中的卓越性能,成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計中不可或缺的重要元件。

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