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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1838S-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1838S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1838S-VB 產(chǎn)品簡介

K1838S-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中高壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為250V,適用于需要穩(wěn)定電源管理的電路。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3V,確保在較低的柵電壓下能有效導(dǎo)通。K1838S-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為640mΩ @ VGS=10V,顯示了其良好的導(dǎo)電性能,有助于降低能量損耗。其最大漏電流(ID)為4.5A,適合用于多種電源和驅(qū)動應(yīng)用,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定和高效運行。該產(chǎn)品采用了Trench技術(shù),具有優(yōu)異的熱性能和開關(guān)特性,滿足了現(xiàn)代電子設(shè)計的需求。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: K1838S-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 250V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 640mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 4.5A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

K1838S-VB因其出色的性能和廣泛的應(yīng)用適用性,適合于以下幾個領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**: 在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器中,K1838S-VB作為主開關(guān)元件,有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率并降低熱損耗。

2. **電機驅(qū)動**: 在各類電機控制和驅(qū)動電路中,K1838S-VB可以用于驅(qū)動直流電機和步進電機,提供穩(wěn)定的電流和響應(yīng)速度。

3. **照明控制**: 該MOSFET廣泛應(yīng)用于LED驅(qū)動和燈具控制電路中,確保燈具的亮度調(diào)節(jié)和穩(wěn)定工作,適合于家庭和商業(yè)照明解決方案。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**: K1838S-VB可用于工業(yè)自動化設(shè)備和控制系統(tǒng)中的開關(guān)和驅(qū)動模塊,提供高效、可靠的控制功能。

5. **逆變器**: 在逆變器設(shè)計中,K1838S-VB能夠?qū)崿F(xiàn)直流轉(zhuǎn)交流的高效能量轉(zhuǎn)換,適用于太陽能逆變器和其他高壓電源應(yīng)用。

綜上所述,K1838S-VB憑借其卓越的電氣性能和多功能性,在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮了重要作用,能夠滿足高壓和高效能的各種應(yīng)用需求。

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