日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

K1920-TL-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1920-TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1920-TL-VB 產(chǎn)品簡介

K1920-TL-VB是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)可達到250V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,適合在各種工業(yè)和消費類電子設(shè)備中運行。K1920-TL-VB的閾值電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為176mΩ,顯示出良好的電流承載能力與低能耗特性。此款MOSFET的最大漏電流(ID)為17A,適合用于需要中等功率和高效能的電源管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。采用Trench技術(shù),K1920-TL-VB提供優(yōu)秀的開關(guān)性能和高效能,確保在多種工作環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: K1920-TL-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 250V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 176mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 17A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1920-TL-VB在多個領(lǐng)域和模塊中得到了廣泛應(yīng)用,主要包括:

1. **電源轉(zhuǎn)換**: 由于其高壓和大電流能力,K1920-TL-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器中,能夠有效提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,保證設(shè)備的穩(wěn)定運行。

2. **開關(guān)電源**: K1920-TL-VB可作為開關(guān)電源中的開關(guān)元件,在各種電源管理系統(tǒng)中,提升開關(guān)效率,降低熱量產(chǎn)生,增強系統(tǒng)的可靠性。

3. **電機驅(qū)動**: 此MOSFET的高電流能力使其適用于電機驅(qū)動應(yīng)用,如直流電機控制系統(tǒng),能夠支持各種電機的平穩(wěn)運行,提升控制精度。

4. **LED驅(qū)動電路**: 在LED照明系統(tǒng)中,K1920-TL-VB可以用作LED驅(qū)動電路的開關(guān)元件,有助于提供穩(wěn)定的電流,確保LED的高效照明和長壽命。

5. **功率放大器**: 在射頻放大器和其他高功率應(yīng)用中,K1920-TL-VB可以提供必要的開關(guān)性能和電流處理能力,支持更高的增益和更好的信號質(zhì)量。

通過這些應(yīng)用,K1920-TL-VB展現(xiàn)了其在高效能電源管理與控制系統(tǒng)中的優(yōu)勢,特別適合處理需要高電壓和大電流的場合,提供可靠的性能與優(yōu)越的效率。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    730瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    609瀏覽量
青河县| 碌曲县| 富锦市| 加查县| 大余县| 淮北市| 承德县| 鄱阳县| 砀山县| 缙云县| 上蔡县| 肇庆市| 津南区| 阳江市| 石泉县| 揭阳市| 神农架林区| 香港 | 金坛市| 潞西市| 吉木乃县| 铁力市| 九寨沟县| 德阳市| 丽水市| 平舆县| 岳阳县| 尚义县| 丹寨县| 依安县| 泸定县| 安仁县| 石门县| 阿克苏市| 太谷县| 崇义县| 通许县| 诸暨市| 孟连| 萨迦县| 定南县|