--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 250V
- VGS 20(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
- ID 17A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K1920-TL-VB 產(chǎn)品簡介
K1920-TL-VB是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)可達到250V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,適合在各種工業(yè)和消費類電子設(shè)備中運行。K1920-TL-VB的閾值電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為176mΩ,顯示出良好的電流承載能力與低能耗特性。此款MOSFET的最大漏電流(ID)為17A,適合用于需要中等功率和高效能的電源管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。采用Trench技術(shù),K1920-TL-VB提供優(yōu)秀的開關(guān)性能和高效能,確保在多種工作環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: K1920-TL-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 250V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 176mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 17A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
K1920-TL-VB在多個領(lǐng)域和模塊中得到了廣泛應(yīng)用,主要包括:
1. **電源轉(zhuǎn)換**: 由于其高壓和大電流能力,K1920-TL-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器中,能夠有效提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,保證設(shè)備的穩(wěn)定運行。
2. **開關(guān)電源**: K1920-TL-VB可作為開關(guān)電源中的開關(guān)元件,在各種電源管理系統(tǒng)中,提升開關(guān)效率,降低熱量產(chǎn)生,增強系統(tǒng)的可靠性。
3. **電機驅(qū)動**: 此MOSFET的高電流能力使其適用于電機驅(qū)動應(yīng)用,如直流電機控制系統(tǒng),能夠支持各種電機的平穩(wěn)運行,提升控制精度。
4. **LED驅(qū)動電路**: 在LED照明系統(tǒng)中,K1920-TL-VB可以用作LED驅(qū)動電路的開關(guān)元件,有助于提供穩(wěn)定的電流,確保LED的高效照明和長壽命。
5. **功率放大器**: 在射頻放大器和其他高功率應(yīng)用中,K1920-TL-VB可以提供必要的開關(guān)性能和電流處理能力,支持更高的增益和更好的信號質(zhì)量。
通過這些應(yīng)用,K1920-TL-VB展現(xiàn)了其在高效能電源管理與控制系統(tǒng)中的優(yōu)勢,特別適合處理需要高電壓和大電流的場合,提供可靠的性能與優(yōu)越的效率。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12