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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1954-Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1954-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
K1954-Z-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具有200V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適用于要求較高電壓的電源管理和功率控制領(lǐng)域。K1954-Z-VB的導通電阻(RDS(ON))為245mΩ@VGS=10V,支持高達10A的漏電流(ID),使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件采用先進的Trench技術(shù),提供更高的效率和更低的能量損耗,適合于各種工業(yè)和消費電子產(chǎn)品。

### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
K1954-Z-VB非常適合用于**開關(guān)電源(SMPS)**和**DC-DC轉(zhuǎn)換器**等電源管理應(yīng)用。其200V的高壓特性使其能夠處理多種電壓等級的電源,同時降低能量損耗,提高整體效率。這對于需要高效率和小型化設(shè)計的電源模塊尤為重要。

在**電機控制系統(tǒng)**中,K1954-Z-VB可以用于實現(xiàn)高效的功率開關(guān),適用于各種電動機的啟動和調(diào)速控制。由于其低導通電阻特性,可以有效減少熱量產(chǎn)生,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化和機器人技術(shù)。

此外,該器件還適用于**LED驅(qū)動**和**照明系統(tǒng)**。在這些應(yīng)用中,K1954-Z-VB能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)和高電流能力,使其成為實現(xiàn)高效亮度調(diào)節(jié)和節(jié)能效果的理想選擇,特別是在智能照明和可調(diào)光系統(tǒng)中。

在**可再生能源**領(lǐng)域,特別是**太陽能逆變器**中,K1954-Z-VB的高電壓和低導通電阻特性使其成為功率轉(zhuǎn)換的理想解決方案,能夠提高系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率,確保穩(wěn)定的電能輸出。

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