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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2250-01S-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2250-01S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2250-01S-VB 產(chǎn)品簡介

K2250-01S-VB 是一款高耐壓單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和中功率應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)高達(dá)250V,能夠滿足工業(yè)和電力電子設(shè)備中對高電壓的要求。該MOSFET的最大漏極電流(ID)為4.5A,門限電壓為3V,柵源電壓范圍為±20V,使其在各種驅(qū)動電路中具有良好的適應(yīng)性。K2250-01S-VB 采用Trench技術(shù),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為640mΩ @ VGS=10V,確保在高電壓條件下的高效性能,適用于開關(guān)電源和電機(jī)控制等領(lǐng)域。

### 二、K2250-01S-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 250V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 640mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4.5A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **最大耗散功率**: 1W (典型值)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 700pF (典型值)
- **輸出電容 (Coss)**: 120pF (典型值)
- **反向恢復(fù)時間 (trr)**: 50ns (典型值)

### 三、K2250-01S-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**  
  K2250-01S-VB 由于其高耐壓特性,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC變換器中。它能夠有效管理高電壓的轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **工業(yè)電機(jī)控制**  
  此MOSFET 在工業(yè)電機(jī)控制中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于直流電動機(jī)和步進(jìn)電動機(jī)的驅(qū)動。其高耐壓和穩(wěn)定性使其能夠處理工業(yè)設(shè)備中常見的高電壓和電流需求,確保電機(jī)在啟動和運(yùn)行過程中的穩(wěn)定性。

3. **LED驅(qū)動器**  
  K2250-01S-VB 也適用于LED照明驅(qū)動電路,能夠穩(wěn)定地控制LED的電流,從而確保光源的均勻性和亮度,并有效降低熱量產(chǎn)生,提升LED的使用壽命。

4. **高頻開關(guān)電路**  
  此外,該MOSFET 適合在高頻開關(guān)電路中使用,能夠應(yīng)對快速切換的需求,廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和其他高頻電子產(chǎn)品中。

K2250-01S-VB 的高效性能和廣泛適用性使其成為高電壓和中功率應(yīng)用中的重要組成部分,滿足現(xiàn)代電子設(shè)計的多種需求。

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