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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2414-Z-E2-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2414-Z-E2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

K2414-Z-E2-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有60V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS)范圍,適用于各種電源管理和開關(guān)控制電路。其柵極閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時(shí)僅為73mΩ,使其能夠高效地處理高達(dá)18A的漏極電流(ID)。采用Trench技術(shù),K2414-Z-E2-VB提供出色的開關(guān)性能,能夠在快速開關(guān)操作中保持較低的能量損耗,適合在各類電子設(shè)備中使用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝形式**:TO252
- **通道類型**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 85mΩ@VGS=4.5V
 - 73mΩ@VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:18A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例:

1. **電源管理**:K2414-Z-E2-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,能夠高效地控制電能轉(zhuǎn)換過程。其60V的高漏源電壓使其適合在各種電源適配器和充電器中使用,提升系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)工具和家用電器中,K2414-Z-E2-VB可作為電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)MOSFET,支持高達(dá)18A的電流輸出,能夠高效驅(qū)動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)和步進(jìn)電動(dòng)機(jī),滿足快速響應(yīng)和高負(fù)載能力的需求。

3. **LED照明**:該MOSFET適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,能夠有效調(diào)節(jié)LED的電流和功率,減少導(dǎo)通損耗,提供穩(wěn)定的光輸出和更長(zhǎng)的使用壽命,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明和家庭照明系統(tǒng)。

4. **工業(yè)控制**:K2414-Z-E2-VB適用于各種工業(yè)控制應(yīng)用,如電源開關(guān)、繼電器驅(qū)動(dòng)等,能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能,確保設(shè)備的安全和可靠性。

通過這些應(yīng)用實(shí)例,K2414-Z-E2-VB展示了其在電源管理、電動(dòng)機(jī)控制及照明等領(lǐng)域的廣泛適用性,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能和高效率的需求。

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