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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2684-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2684-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2684-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K2684-VB 是一款高效的 **單N溝道** MOSFET,采用 **TO252** 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其 **漏源電壓 (VDS)** 為 **30V**,適用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的 **門源電壓 (VGS)** 可達(dá) ±20V,確保靈活的驅(qū)動選項。K2684-VB 的 **閾值電壓 (Vth)** 為 1.7V,使其能夠在較低電壓下實現(xiàn)可靠的導(dǎo)通。其出色的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 分別為 9mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V,確保在高電流條件下的低功耗和高效能。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K2684-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **門源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench,適合高效低壓應(yīng)用
- **工作溫度范圍**:適合各種環(huán)境

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K2684-VB MOSFET 適用于多個領(lǐng)域和模塊,以下是一些具體的應(yīng)用示例:

1. **電源管理**:在電源管理系統(tǒng)中,K2684-VB 可用于開關(guān)電源和線性電源中,提供高效的電流開關(guān)和穩(wěn)壓功能。

2. **電機(jī)控制**:該 MOSFET 適合用于電機(jī)驅(qū)動電路中,能夠高效控制直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī),確??焖夙憫?yīng)和高功率輸出。

3. **充電器**:在移動設(shè)備和電池充電器中,K2684-VB 能夠有效管理充電電流,支持高效的充電過程,提升整體充電速度。

4. **LED 驅(qū)動**:由于其低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 可用于 LED 照明驅(qū)動電路中,實現(xiàn)高效的能量傳遞和較長的使用壽命。

5. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,K2684-VB 可應(yīng)用于各種控制電路,如電動窗、車載充電器等,提供可靠的開關(guān)控制。

K2684-VB 是一款高性能 MOSFET,適合廣泛的低電壓、高電流應(yīng)用,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和可靠性的需求,是電源管理和驅(qū)動控制的理想選擇。

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