日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

K2981-VB TO252一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2981-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介(K2981-VB)
K2981-VB是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)范圍為±20V,適合用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。K2981-VB基于先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench),在4.5V和10V的柵電壓下,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為9mΩ和7mΩ,表現(xiàn)優(yōu)越,有效降低了能量損耗。最大漏極電流可達(dá)到70A,使其成為高效能電子設(shè)備和系統(tǒng)中理想的選擇,尤其是在需要高功率密度和高效能的應(yīng)用中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明(K2981-VB)
- **封裝類型**:TO252
- **通道配置**:單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ@VGS=4.5V
 - 7mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)類型**:溝槽技術(shù)(Trench)
- **最大功率耗散**:根據(jù)TO252封裝設(shè)計,具備良好的散熱性能,適合高功率應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:
  K2981-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源設(shè)計,作為開關(guān)元件,其超低導(dǎo)通電阻可顯著提高能量轉(zhuǎn)換效率。該器件在AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)越,能夠有效減少能量損失,提升電源的整體性能。

2. **電動機驅(qū)動**:
  在電動機控制領(lǐng)域,K2981-VB適合用作電動機的開關(guān)控制器,其高電流處理能力使其能夠滿足工業(yè)自動化和家電中的各種應(yīng)用需求。這一特性確保了電動機的平穩(wěn)啟動和高效運行。

3. **消費電子產(chǎn)品**:
  K2981-VB在消費電子產(chǎn)品中發(fā)揮著重要作用,廣泛應(yīng)用于智能手機、平板電腦和筆記本電腦的電源管理電路。其低導(dǎo)通電阻特性可以優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換,延長電池使用壽命,提升設(shè)備的性能。

4. **電源管理集成電路(PMIC)**:
  K2981-VB適用于電源管理IC中,作為高效的開關(guān)元件。其在可再生能源系統(tǒng)、充電設(shè)備和電池管理系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣泛,能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    730瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    607瀏覽量
沐川县| 涟源市| 金门县| 盐亭县| 大城县| 焦作市| 谢通门县| 呼图壁县| 贺州市| 尉氏县| 金坛市| 墨玉县| 青河县| 威远县| 醴陵市| 六盘水市| 霞浦县| 额尔古纳市| 石狮市| 南乐县| 衡东县| 阿坝县| 波密县| 成都市| 阳曲县| 松溪县| 乐安县| 抚州市| 舒城县| 峨眉山市| 雷山县| 清新县| 蓝田县| 盐津县| 襄樊市| 宁波市| 石林| 工布江达县| 紫金县| 泰州市| 平利县|