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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2982-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2982-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介:
K2982-VB 是一款高效能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,特別設(shè)計用于低電壓和高電流應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)可達到 ±20V,適合多種電子電路的開關(guān)需求。K2982-VB 的開啟閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保在較低的柵壓下迅速開啟。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時為 6mΩ,在 VGS 為 10V 時為 5mΩ,使其在高電流(ID 最大為 80A)應(yīng)用中具備出色的功率效率。采用 Trench 技術(shù),使其具有更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗,適用于多種高效電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

### 二、詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 5mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 80A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理**:K2982-VB 可用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,提供穩(wěn)定的電源輸出,并降低功率損耗,從而提升整體能效。

2. **電機驅(qū)動**:在電動機控制系統(tǒng)中,K2982-VB 能夠作為開關(guān)元件使用,支持高達 80A 的電流,適用于電動工具、電動車輛和工業(yè)自動化設(shè)備的電機驅(qū)動。

3. **LED 照明**:在 LED 驅(qū)動電路中,該 MOSFET 可用于高功率 LED 的驅(qū)動,確保在高電流工作下提供穩(wěn)定的性能,同時提高能效。

4. **電力電子設(shè)備**:K2982-VB 在家用電器和消費電子產(chǎn)品中也可用作開關(guān)元件,支持高效的電力轉(zhuǎn)換和控制,提升產(chǎn)品的整體性能。

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