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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3133-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3133-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K3133-VB MOSFET

K3133-VB是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝設(shè)計,專為低電壓和高電流應(yīng)用而優(yōu)化。該器件具有出色的導(dǎo)通特性和極低的導(dǎo)通電阻,RDS(ON)在VGS=10V時僅為5mΩ,確保了高效率的電流傳輸。其最大漏源電壓(VDS)為30V,能夠在多種應(yīng)用中提供可靠的性能。K3133-VB的閾值電壓(Vth)為1.7V,使其能夠在較低的柵電壓下有效導(dǎo)通。這款MOSFET采用了先進的溝道技術(shù)(Trench),不僅提高了開關(guān)速度,還降低了開關(guān)損耗,適合廣泛的電子設(shè)備應(yīng)用。

### 參數(shù)說明:

- **封裝**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**: 30V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V  
- **開啟閾值電壓(Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 6mΩ@VGS=4.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 5mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流(ID)**: 80A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理系統(tǒng)**:
  K3133-VB廣泛用于電源管理和開關(guān)電源(SMPS)中,能夠在高負載條件下高效控制電流,提升整體系統(tǒng)效率,降低能量損失。

2. **電機驅(qū)動**:
  在電動機驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET可作為高效開關(guān)元件,確保電動機平穩(wěn)啟動和運行,適用于電動工具和家用電器等領(lǐng)域。

3. **電池管理**:
  K3133-VB在電池管理系統(tǒng)(BMS)中具有重要應(yīng)用,能夠控制充電和放電過程,保護電池免受過流和過壓損害,提升電池壽命。

4. **LED照明**:
  該MOSFET適用于LED驅(qū)動電路中,能夠提供穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié),確保LED燈具的高亮度和長壽命,廣泛應(yīng)用于商業(yè)和家居照明。

5. **便攜式設(shè)備**:
  K3133-VB在便攜式電子設(shè)備中也得到廣泛應(yīng)用,如智能手機、平板電腦等,能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電和高效能量管理,提升用戶體驗。

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