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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3147STL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3147STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K3147STL-E-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3147STL-E-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有100V的漏源電壓(VDS),適合在中高壓應(yīng)用中使用。該器件的柵源電壓(VGS)為±20V,具有良好的柵控制特性。其柵閾值電壓(Vth)為1.8V,使其在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下便能開啟,增強(qiáng)了其在各種應(yīng)用中的靈活性。K3147STL-E-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為114mΩ@VGS=10V),在提升功率轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)出色,適用于電源管理、開關(guān)電源和其他高功率應(yīng)用。其采用的Trench技術(shù),進(jìn)一步提高了器件的性能和熱管理能力。

### 二、K3147STL-E-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:15A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C至150°C
- **開關(guān)速度**:適合快速開關(guān)應(yīng)用
- **功耗**:設(shè)計(jì)優(yōu)化以降低功耗,提高能效

### 三、K3147STL-E-VB適用領(lǐng)域和模塊

K3147STL-E-VB憑借其高效的電氣性能,廣泛適用于多個(gè)領(lǐng)域,以下是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:該MOSFET可以作為開關(guān)元件在開關(guān)電源中使用,提高能量轉(zhuǎn)換效率,適合于計(jì)算機(jī)電源、LED驅(qū)動(dòng)和電源適配器等應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:K3147STL-E-VB非常適合用于電動(dòng)機(jī)控制電路,能夠支持高電流輸出,常用于電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:該器件在DC-DC變換器中可用作主開關(guān),優(yōu)化輸出電壓和電流,適合移動(dòng)設(shè)備和電源管理系統(tǒng),提升整體效率。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,K3147STL-E-VB可用于監(jiān)控電池的充放電過(guò)程,確保電池的安全性和性能,特別是在電動(dòng)汽車和便攜式設(shè)備中。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:該MOSFET可在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中用作功率開關(guān),提升產(chǎn)品的可靠性和能效,適合音響系統(tǒng)、電視機(jī)和其他家電的電源管理。

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