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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K4058-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4058-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K4058-ZK-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K4058-ZK-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和低導通損耗應用而設計。該器件的最大漏極-源極電壓(VDS)為30V,柵極-源極電壓(VGS)可達±20V,具有良好的耐壓性能。K4058-ZK-VB 的導通電阻(RDS(ON))在不同柵壓下表現(xiàn)優(yōu)異,分別為6mΩ(在VGS=4.5V時)和5mΩ(在VGS=10V時),可以承載高達80A的漏極電流?;赥rench技術制造的K4058-ZK-VB,不僅提高了開關速度,還降低了能量損耗,適用于各種電源管理和高效開關應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單一N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 80A
- **技術類型**: Trench技術
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 65W (典型值)
- **最大瞬態(tài)柵極電荷(Qg)**: 30nC
- **輸入電容(Ciss)**: 950pF

### 應用領域及模塊舉例

1. **電源轉換器**  
K4058-ZK-VB 非常適用于**開關電源(SMPS)**和其他電源轉換器中,特別是在需要高電流輸出的場合。其優(yōu)異的導通電阻和高耐壓特性,確保了在高負載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電動機驅動**  
在**電動機驅動應用**中,該MOSFET能夠高效控制直流電動機和步進電機,提供快速的開關響應和低功耗,非常適合于高效能電機控制系統(tǒng)。

3. **LED驅動器**  
K4058-ZK-VB 也廣泛應用于**LED照明驅動**,能以高效率控制LED燈的開關和亮度調節(jié),確保在長時間運行時不產(chǎn)生過多熱量,提升照明系統(tǒng)的整體性能。

4. **逆變器和功率模塊**  
在**太陽能逆變器**和其他功率模塊中,K4058-ZK-VB 可以作為主要的開關元件,處理從光伏組件到電網(wǎng)的高電流,確保能量轉換的高效率和可靠性。

綜上所述,K4058-ZK-VB MOSFET 憑借其高耐壓、低導通損耗和出色的電氣性能,適合多種高電流應用,是電源管理、電機控制及LED驅動領域的理想選擇。

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