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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K4080-ZK-E2-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4080-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K4080-ZK-E2-AY-VB 產(chǎn)品簡介

K4080-ZK-E2-AY-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 通道 MOSFET,設(shè)計用于低壓、高電流應用。它具有最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V,柵極源極電壓 (VGS) 為 ±20V 的特性,提供較寬的操作電壓范圍。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能夠迅速開啟并提供穩(wěn)定的電流控制。導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 6mΩ,VGS=10V 時為 5mΩ,這使其能夠在大電流傳輸中保持低功耗。最大漏極電流 (ID) 為 80A,配合其 Trench 技術(shù),使該器件在高效電源管理系統(tǒng)和開關(guān)電路中表現(xiàn)出色。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型號               | K4080-ZK-E2-AY-VB     |
| 封裝               | TO252                |
| 配置               | 單 N 通道            |
| 最大漏極源極電壓 (VDS) | 30V                  |
| 最大柵極源極電壓 (VGS) | ±20V                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 1.7V                 |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS=4.5V       |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 5mΩ @ VGS=10V        |
| 最大漏電流 (ID)   | 80A                  |
| 技術(shù)               | Trench               |

### 應用領(lǐng)域和模塊示例

K4080-ZK-E2-AY-VB MOSFET 廣泛應用于多個領(lǐng)域,尤其適合以下模塊:

1. **電源管理模塊**:K4080-ZK-E2-AY-VB 的低導通電阻和高電流能力使其成為高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓電源中的理想選擇,能夠提高功率轉(zhuǎn)換效率并降低能量損耗。

2. **汽車電子**:在電動汽車或電池管理系統(tǒng)中,該器件用于電源分配和保護電路。其大電流處理能力支持快速充放電和負載調(diào)節(jié),確保電動系統(tǒng)的高效運行。

3. **電動工具驅(qū)動**:K4080-ZK-E2-AY-VB 能夠為高功率電動工具提供強勁的電流支持,確保電動工具在高負荷下能夠保持穩(wěn)定輸出,同時降低功耗和發(fā)熱。

4. **LED 照明驅(qū)動**:在 LED 驅(qū)動應用中,該 MOSFET 能夠提供持續(xù)穩(wěn)定的電流,有效控制亮度并延長 LED 的使用壽命,特別適用于大功率照明設(shè)備。

5. **消費電子設(shè)備**:在智能家居、手機、平板電腦等設(shè)備的電源控制模塊中,K4080-ZK-E2-AY-VB 憑借其高效能和低功耗特性,能夠確保電子設(shè)備在長時間運行中的穩(wěn)定性。

總之,K4080-ZK-E2-AY-VB 以其出色的電流承載能力和高效能成為多種現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,為電源管理、電動驅(qū)動和電子消費產(chǎn)品提供可靠的支持。

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