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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4103-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4103-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K4103-VB MOSFET

K4103-VB是一款采用TO252封裝的單N溝道MOSFET,具備高達(dá)650V的漏源電壓(VDS)和5A的導(dǎo)通電流(ID),適用于高壓應(yīng)用場景。其超結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術(shù)顯著提升了效率,并降低了功耗,適合需要高耐壓和穩(wěn)定性的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。K4103-VB具備較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),適用于低功耗和開關(guān)頻率不太高的場合,常用于工業(yè)和消費(fèi)級電力電子領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大導(dǎo)通電流(ID)**: 5A
- **技術(shù)**: 超結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **功耗**: 能夠在高壓條件下提供可靠的開關(guān)性能,適合中小功率轉(zhuǎn)換場景
- **工作溫度范圍**: 滿足工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的溫度范圍,適用于較為嚴(yán)苛的工作環(huán)境

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

1. **LED照明驅(qū)動器**:K4103-VB適合用于LED照明驅(qū)動器,尤其是那些需要高電壓轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。其高壓特性能夠有效處理輸入端高壓的情況,同時保持輸出端的穩(wěn)定性和低功耗。

2. **智能電表**:在智能電表等需要高壓檢測和電力管理的設(shè)備中,K4103-VB能夠提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換功能,確保系統(tǒng)準(zhǔn)確測量和處理電力數(shù)據(jù)。

3. **小功率逆變器**:K4103-VB在低功率的逆變器應(yīng)用中表現(xiàn)良好,如家用小型光伏系統(tǒng)或便攜式電源系統(tǒng)。其650V的高耐壓能夠處理逆變器的高壓輸入,提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換效果。

4. **工業(yè)電源適配器**:該MOSFET可用于工業(yè)級電源適配器中,能夠在高壓條件下提供可靠的開關(guān)控制,確保電源轉(zhuǎn)換過程中的效率和穩(wěn)定性。

5. **家用電器的功率管理模塊**:K4103-VB還可用于如微波爐、冰箱等家用電器的功率管理模塊,利用其高壓耐受性和較低的功率損耗來提升設(shè)備的能效,減少能量消耗。

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